Question

igbt是什么意思

Answer 1

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。

当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

IGBT模块介绍：

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。

它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

Answer 2

IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，中文名为绝缘栅双极型晶体管。它是一种半导体器件，结合了场效应晶体管（FET）和双极型晶体管（双极晶体管，或简称双极管）的特性。IGBT 在电子领域中的应用非常广泛，主要用于功率控制和电能转换。

IGBT 的工作原理类似于双极型晶体管，但它具有场效应晶体管的控制特性。这使得它在高电压和高电流应用中非常有用。IGBT 可以用于开关电路，将电能从一个电源转换到另一个电路，从而实现功率调节、电机控制、逆变器等应用。

IGBT 常常用于高功率应用，如电动汽车驱动、电力输配电、工业设备、电焊机、电力变频器、风力和太阳能发电系统等。其特点包括高电压和电流承受能力、开关速度较快、功率效率高等。由于这些特性，IGBT 在现代电子和电力系统中扮演着重要的角色。