在芯片领域，人们通过离子注入的方式优化半导体。其原理简化如图所示，I区域为速度选择器，存在着互相垂直的匀强电场和匀强磁场，电场强度大小为Eo，磁感应强度大小为Bo;
Ⅱ区域为磁感应强度大小B可调的匀强磁场，其边界ABCD是边长为L的正方形。一长度为一的
半导体材料放在BC边上，下端与C点重合，上端为F点。一束离子流从狭缝S射入速度选择器，
沿着直线通过速度选择器并从AB的中点S₂垂直射入Ⅱ区域的磁场。已知每个离子的电量均为 q(q>0)，质量均为m，不考虑离子重力以及离子间的相互作用。
(1)求离子从S射入的速度大小v;
(2)若离子打在F点，求II区域的磁感应强度大小B1(3)若离子打在C点，求I区域的磁感应强度大小B2
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根据题目描述，子弹速度为900m/s，长度约为扑克牌宽度的一，因此我们可以估算出子弹穿过扑克牌的时间。假设扑克牌宽度为6.3cm（标准扑克牌宽度），则子弹穿过扑克牌的距离为6.3cm。根据速度的定义，速度等于距离除以时间，因此可以得到时间为：时间 = 距离 ÷ 速度 = 6.3cm ÷ 900m/s注意到题目中给出的速度单位为m/s，而距离单位为cm，因此需要将距离单位转换为m，即：时间 = 0.063m ÷ 900m/s计算得到的结果约为7×10^-5秒，也就是0.07毫秒（毫秒是千分之一秒）。因此，子弹穿过扑克牌的时间接近于 10-"s（即0.1毫秒）。答案选项为 D。
咨询记录 · 回答于2023-05-05
(2)若离子打在F点，求II区域的磁感应强度大小B1(3)若离子打在C点，求I区域的磁感应强度大小B2
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沿着直线通过速度选择器并从AB的中点S₂垂直射入Ⅱ区域的磁场。已知每个离子的电量均为 q(q>0)，质量均为m，不考虑离子重力以及离子间的相互作用。
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可以解答吗
图片都是
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