Question

半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体? P型硅中是怎么形成pn结的?求解

谢谢各位大师的解释,我主要纠结在,p型硅中是怎么形成pn结的,我比较纳闷的是,如果第一个问题成立,那p型硅中另外一种半导体是什么?求解

Answer 1

是的。
P型半导体是在单晶硅（锗）中参入微量三价元素，如的硼、铟、镓或铝等，就变成以空穴导电为主的半导体，即P型半导体。在P型半导体中，空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子。

如果在硅或锗等半导体材料中加入微量的磷、锑、砷等五价元素，备扮脊就变成以电子导电为主的半导体，即N型半导体。在N型半导体中，电子缺世(带负电)叫多数载流子;空穴(带正电)叫少数载流子。
pn结就是把这两种半导体烧结在一起，由电子和空穴运动达到平衡后形成PN结，具有单仿渗向导电的特性，即二极管。若烧结成P-N-P或N-P-N两个PN结就是三极管。大规模集成电路也是这个原理制成的。

Answer 2

PN结的形成---
在一块晶体两边分别形成P型和N型半导 体。图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼)离子，带负电； 代表失去一个电子的五价杂质(例如磷)离子带正电。由于P区有大量空穴(浓度大)，而N区的空穴极少(浓度小)，因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。
多数载流子将扩散形成耗尽层；
耗尽了载流子的交界处留尘颂下不可移动的离子形成空间电荷区；（内电场）
内电场阻碍了多子的继续扩散。拆辩
空间电荷区的内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用。但对少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴)则可推动它们越过空间电荷区，进入对方。少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
扩散和漂移是互相联系，又是互相矛盾的。在
开始形成空间电荷区时，多数载流子的扩散运动
占优势。但在扩散运动进行过程旅兄缺中，空间电荷区
逐渐加宽，内电场逐步加强。于是在一定条件下
(例如温度一定)，多数载流子的扩散运动逐渐减
弱，而少数裁流子的漂移运动则逐渐增强。最后
扩散运动和漂移运动达到动态平衡。达到平衡后
空间电荷区的宽度基本上稳定下来，PN结就处于
相对稳定的状态。

Answer 3

是的，一定需要。
P型半导体是空穴导电为主的半导体。在P型半导体中，空穴(带正电)叫多数载流子;电子拿谈(带负电)叫少数载流子。

以电子导电为主的半导体局乎，即N型半导体。在N型半导体中，电子(带负电)叫多数载流子;空穴(带正电)叫少数载流子。
pn结就是把这两种半导桐敏悉体结在一起，由电子和空穴运动达到平衡后形成PN结，具有单向导电的特性

Answer 4

现在行业庆尺薯中一般用P型硅誉者，大多时在硅中参如B元素，p型硅困正的PN结时在做电池片时形成的，在硅片表面扩散一层磷，你可以看看电池片制造工艺