Question

您能给我讲讲ir2110的自举电容是怎么选择的吗？ 看过您在百度里给的链接，现在已经不能用了，谢谢

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Answer 1

自举电容的设计
IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导通所需要的电压(10 V，高压侧锁定电压为8.7／8.3 V)要高，而且在自举电容充电路径上有1.5 V的压降(包括VD1的正向压降)，同时假定有1／2的栅电压(栅极门槛电压VTH通常3～5 V)因泄漏电流引起电压降。那么，此时对应的自举电容可用下式表示：
例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160 nC(可由IRF2807电特性表查得)，Vcc为15V，那么有：
这样C1约为0.1 μF，设计中即可选取C1为0.22μF或更大，且耐压大于35 V的独石电容。

追问

谢谢 是说在实际中选取的电容只要不c1的计算值大就行吗？ 还有为什么是独石电容？这个类型有什么说道？

追答

也不能太大，会影响窄脉冲的驱动性能。邮箱给我，给你发个资料看看。