三极管是一种控制电流的半导体器件，具有电流放大作用。三极管有三种工作状态，当处于放大状态时，具有电流放大功能，但是处于截止状态和饱和导通状态下，会失去电流放大作用。所以“无论在任何情况下，三极管都具有电流放大功能”这句话是错误的。
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
扩展资料
晶体管诞生之前，人们已经有了电子管，或者叫真空管。电子管具有信号放大作用，但是毛病一箩筐——寿命低、体积大、可靠性差。所以，人们希望找到一种器件替代电子管。美国电话电报公司（AT&T）下属的贝尔实验室成了寻找路上的开路先锋。
贝尔实验室创建于1925年。是世界上规模最大的工业实验室。3600名工作人员中，有2000名是技术人员。1945年7月，二战临近结束，为了适应战后研究方向的调整，贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。这次改组中，物理部门成立了3个研究小组，其中之一就是固体物理研究组。
该组又分为半导体和冶金两个小组，麻省理工大学博士肖克莱兼任半导体小组组长。他将小组的研究计划，定为研制“半导体放大器”。半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，像硅和锗，就是常见的半导体材料。
1947年12月16日，摆在布拉顿和巴丁面前的，是一个多次改进后的、构筑在锗晶体之上的器件。锗晶体表面，用一根弹簧压着一个两边包裹着金箔的三角形塑料楔子。这两边的金箔，就是信号的输入端和输出端。就是它，在那天的实验中，成功放大了30%的输出功率和15倍的输出电压。
用现代标准来衡量，这点触式晶体管的原型实在太过质朴笨拙，但无可否认，它就是人类微电子革命的先声。在它之后，又有双极型、单极型晶体管和硅晶体管相继问世。“从移动计算到智能计算，当今时代的种种变化，都离不开电子信息系统。而晶体管，是其中最为基础的器件。
参考资料：百度百科-三极管
无论在任何情况下，三极管都具有电流放大功能这句话是错的。
因为三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件，即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。三极管的主要应用分为两个方面。
一是工作在饱和与截止状态，用作晶体管开关；二是工作在放大状态，用作放大器。IB，IC基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。放大状态 ： uB＞0，发射结正偏，集电结反偏，iC=βiB。
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放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。
同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
参考资料：百度百科-三极管
