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二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成。
第一部分:用数字表示器件电极的数目。
第二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第绝裤三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分:用数字表示器碧游件序号。
第五部分:用汉语拼音字母表悔宏销示规格号。如表 5 . 1 所示。
表 5 . 1 国产半导体器件的命名方法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2 二极管 A N 型,锗材料 P 普通 X 低频小功率
(fa<3MHz , Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别 反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低, B 稍高
B P 型,锗材料 W 稳压管
C N 型,硅材料 Z 整流管 G 高频小功率
(fa>3MHz , Pc<1W)
D P 型,硅材料 L 整流堆
第一部分:用数字表示器件电极的数目。
第二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第绝裤三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分:用数字表示器碧游件序号。
第五部分:用汉语拼音字母表悔宏销示规格号。如表 5 . 1 所示。
表 5 . 1 国产半导体器件的命名方法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2 二极管 A N 型,锗材料 P 普通 X 低频小功率
(fa<3MHz , Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别 反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低, B 稍高
B P 型,锗材料 W 稳压管
C N 型,硅材料 Z 整流管 G 高频小功率
(fa>3MHz , Pc<1W)
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