IGBT 驱动和MOS有什么不同
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igbt是达林顿结构，mos不是。
igbt和mos都需要一定的门槛电压（vgsth）来触发打开
但是由于igbt的达林顿结构导致寄生电容偏大，故需要一定的门极驱动能力，mos相对较小。
相对的，igbt的开关频率普遍较低（30~50k以下）而电流较大（可达1000a）。
mosfet的开关频率可达500k，而rms电流普遍较低（一般不超过100a）
igbt和mos都需要一定的门槛电压（vgsth）来触发打开
但是由于igbt的达林顿结构导致寄生电容偏大，故需要一定的门极驱动能力，mos相对较小。
相对的，igbt的开关频率普遍较低（30~50k以下）而电流较大（可达1000a）。
mosfet的开关频率可达500k，而rms电流普遍较低（一般不超过100a）
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艾普斯
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