说明PN结形成的原理
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在P型半导体中:空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子;
在N型半导体中:自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
P型半导体和N型半导体接触时,
在接触面,同一种载流子由于浓度差,
P区的多数载流子空穴向N区扩散,
同时N区的多数载流子自由电子向P区扩散,
这种由于浓度差引起的运动叫做载流子的扩散运动。
在接触面,
空穴和自由电子就近复合。
同时,界面N区一侧附近空穴逐渐增多,正电性逐渐增强;
界面P区一侧附近自由电子逐渐增多,负电性逐渐增强。
当扩散运动逐渐增强同时,内电场也逐渐增强,内电场方向由N区指向P区,形成电位差。
内电场阻止P区多数载流子空穴(带正电)向N区扩散,阻止N区的多数载流子自由电子(带负电)向P区扩散;
但,内电场促使P区的少数载流子自由电子向N区移动,N区的少数载流子空穴向P区移动。
这种在内电场作用下发生的少数载流子移动的运动叫做漂移运动,
扩散运动和漂移运动方向相反,彼此相互影响。当由于浓度差引起的扩散运动和电位差引起的漂移运动的
载流子数量相等时,就形成动态平衡这样,PN结就形成了。
在N型半导体中:自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
P型半导体和N型半导体接触时,
在接触面,同一种载流子由于浓度差,
P区的多数载流子空穴向N区扩散,
同时N区的多数载流子自由电子向P区扩散,
这种由于浓度差引起的运动叫做载流子的扩散运动。
在接触面,
空穴和自由电子就近复合。
同时,界面N区一侧附近空穴逐渐增多,正电性逐渐增强;
界面P区一侧附近自由电子逐渐增多,负电性逐渐增强。
当扩散运动逐渐增强同时,内电场也逐渐增强,内电场方向由N区指向P区,形成电位差。
内电场阻止P区多数载流子空穴(带正电)向N区扩散,阻止N区的多数载流子自由电子(带负电)向P区扩散;
但,内电场促使P区的少数载流子自由电子向N区移动,N区的少数载流子空穴向P区移动。
这种在内电场作用下发生的少数载流子移动的运动叫做漂移运动,
扩散运动和漂移运动方向相反,彼此相互影响。当由于浓度差引起的扩散运动和电位差引起的漂移运动的
载流子数量相等时,就形成动态平衡这样,PN结就形成了。
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解释为什么加正向电压时PN节变窄,电流导通;加反向电压时PN节变宽,电流截止?
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂移,漂移的方向正与以上扩散的方向相反。平衡时,载流子的漂移与扩散相等,自建电场区没有载流子,称之为空间电荷区。就形成了PN结;
对于PN结,如果P接正极,N接负极,即加正向电压,由于外加电压的电场方向与PN结的内电场方向相反,使得空间电荷减少,内电场被削弱,空间电荷区变窄,所以扩散运动增强,多数载流子在外电场驱动下通过PN结,形成较大的扩散电流。正向电阻较小,PN结处于导通状态;
而P接负极,N接正极,即加反向电压,外加电压的电场方向与PN结相同,增强了内电场,载流子扩散运动减弱,没有正向电流通过PN结,只有少数载流子运动形成反向电流,由于数目很少,所以反向电流很小的,宏观来看就是电阻很大,PN结处于截止状态。
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂移,漂移的方向正与以上扩散的方向相反。平衡时,载流子的漂移与扩散相等,自建电场区没有载流子,称之为空间电荷区。就形成了PN结;
对于PN结,如果P接正极,N接负极,即加正向电压,由于外加电压的电场方向与PN结的内电场方向相反,使得空间电荷减少,内电场被削弱,空间电荷区变窄,所以扩散运动增强,多数载流子在外电场驱动下通过PN结,形成较大的扩散电流。正向电阻较小,PN结处于导通状态;
而P接负极,N接正极,即加反向电压,外加电压的电场方向与PN结相同,增强了内电场,载流子扩散运动减弱,没有正向电流通过PN结,只有少数载流子运动形成反向电流,由于数目很少,所以反向电流很小的,宏观来看就是电阻很大,PN结处于截止状态。
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2:平衡,不动我在3给你讲原理就知道了 3:原理:PN结是由P型半导体和N型半导体构成的,这些我不讲,书上 有 定义。我重点说下形成过程。 P区
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