大学物理实验霍尔效应对称测量法无法消除的副效应有哪些
大学物理实验霍尔效应对称测量法无法消除的副效应如下：
1、厄廷好森效应所引起的电位差UE是指由于载流子实际上是以不同的速度在平行于x轴的方向上运动着，因此在磁场作用下，大于或小于平均速度的载流子在洛仑兹力和霍尔电场力的共同作用下，向y轴的正向或反向两侧偏转，其动能在霍尔片两侧转化为热能，结果在1和2两点间产生温差，从而出现温差电动势UE。
2、能斯脱效应所引起的电位差UN是指由于连接点3、4处的接触电阻可能不同，或由于电极、半导体材料不同而产生不同的焦耳热，使得电极3和4两点的温度不同，从而引起载流子在方向的运动产生热流，它在磁场作用下在1和2两点间产生电位差UN。
3、里纪-勒杜克效应所引起的电位差UR是指由于上述热流中的载流子的速度各不相同，在磁场作用下也会使1和2两点间出现温差电动势UR。同样，若只考虑3、4处接触电阻差异而产生的热流，则UR的方向只与B的方向有关。
4、不等位效应所引起的电位差U0是指由于制作上的困难，1、2两点不可能恰好处在同一条等位线上，因而只要样品中有电流通过，即使磁场B不存在，1与2两点之间也会出现电位差U0。U0的正负号只与工作电流的方向有关。严格的说，U0的大小在磁场不同时也略有不同。
5、实际测量时，由于仪表调整的状态，以及仪器电压受到杂散电磁场和电源地线的影响，电压表会有附加电压US。US是与电流方向和磁场方向无关的量。
扩展资料
霍尔效应的发展：
霍尔效应是磁电效应的一种，后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广泛的应用前景。
参考资料来源：
三泉智能
2024-06-20 广告
