求教:静态工作点设置过高过低时候的那两个失真图的意思
Q点过高是不是应该是Ib和ic太高了?所以需要加大Rb和Rc,但是为了保证对下一级的驱动能力所以尽量不加大Rc。是不是这个意思?但是,这个和U0有啥关系?以共射级放大为例,U0不是和uc对地电压?和ib ic有啥关系?为啥那个图的曲线要那么画呢?纠结啊。
截止失真也一样迷糊。两个失真的U0曲线有啥区别?我看一个ppt上的是一样的啊貌似,上面说截止失真有个削波。但是看着和饱和失真一样都是负半周的受到削平了啊 展开
在三极管放大电路中,静态工作点设置过低会产生截止畸变,过高的工作点设置会产生饱和畸变。
当晶体管的静态工作点设置低时,由于输入信号的叠加,部分叠加波形可能进入截止区。NPN三极管共发射极放大器的截止畸变反映在输出电压的顶部,而PNP三极管共发射极放大器的截止畸变反映在输出电压的底部。
饱和失真发生在晶体管由于高Q点。当Q点太高,虽然动态目前的底部是一个真正的正弦波,晶体管进入饱和区在一定时期内当输入信号峰值的一半,从而导致集电极动态电流的畸变,顶部和集电极电阻上的电压波形生成相同的失真。
扩展资料:
解决方案
Q点过低引起的截止畸变属于输入畸变,只能从输入端解决。只有增加基础电源VBB,才能消除截止畸变。改变Rb使Q点位置升高,但只改变了输入负荷线的斜率,不能保证曲线的哪一部分进入截止区,再次进入放电区。
饱和失真的解决方案包括:
1、添加VCC。因为三极管饱和的根本原因是集电结的收集电子的能力不足,所以VCC的增加可以提高收集器收集电子的能力,但必须确保VCC三极管能承受范围内,在RC和管不变的情况下,可以消除饱和失真。
2、在集电极电阻RC和集电极电源VCC不变的情况下,集电极电压增大,增强集电极收集电子的能力,消除饱和畸变。
3、减少集电极电阻。如果电路中的其他参数不变,减小集电极电阻RC可以减小RC上的电压降,增加施加到集电极结上的电压,同时增强集电极收集电子的能力,从而消除饱和失真。
4、更换小一点的试管。在其他参数不变的情况下,当改变放大系数较小的管时,集电极电阻上的压降减小,增加了施加在集电极结上的电势,增强了集电极结收集电子的能力,从而消除了饱和畸变。
参考资料来源:百度百科-饱和失真
参考资料来源:百度百科-截止失真
Uo是进入截止点的uce值?U0不是放大电路的输出电压么?为啥又是截止点呢?看了下图上确实是一个点,但是为啥画那个曲线呢,那个曲线的削平的地方也只是表明是在输出电压超过U0的时候削平?
Uo这个符号在很多地方的确是代表输出电压,因为注脚o就是out put的缩写,但是在这里,它就是代表uce的截止值,因为图上就是那么标注的。你还要注意区分波形和曲线,波形是指信号,曲线是指三极管的特性曲线,被削平的是波形,而不是曲线。正因为输出电压超过Uo后就被削平了,所以才叫波形失真了。之所以被削平,就是因为三极管进入了截止状态,输出电压波形再不与输入信号波形保持一致了。
上图 的那个除了静态点下方的U0 , 合适的静态点右边, 还有个Ib的曲线。那个ib曲线咋解释呢?谢谢
简单的说吧。每条IB曲线说明,基极电流IB再不同的取值的时候,IC和UCE的关系。图上不难看出,IB越大,也就是越靠近纵坐标上方的IB曲线,IC越大,而uce越小。