Question

为什么半导体中PN结的P区是负离子，N区的是正离子

Answer 1

两边的正负离子不是因为失去或者得到电子产生的，而是电子或者空穴跑掉以后留下的离子。
需要明确一点，那就是不管是掺杂什么杂质离子进去，半导体原本就是显电中性的。
意思是P本身带有负离子和多数空穴与少数电子，N本身带有正离子和多数电子少数空穴。
P区一侧因“失去空穴”而留下不能移动的负离子，N区一侧因“失去电子”而留下不能移动的正离子。

Answer 2

我的理解是这样的，你先把硼多出来的电子忽略掉（相当于少了一个电子），那么他是不是像是正离子，正因为多了那个电子所以电中性。个人理解，不一定正确

Answer 3

耗尽层就是在PN结附近，其中的载流子因扩散而耗尽，只留下不能移动的正负离子的区域，又称空间电荷区。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。