三极管放大作用的内部结构特点
三极管放大作用的内部结构特点:
1:下面以NPN型为例,来讨论三极管的放大作用。从三极管的内部结构来看,主要有两个特点。第一,发射区进行高掺杂,因而其中的多数载流子浓度很高。NPN三极管的发射区为N型,其中的多子是电子,所以电子的浓度很高。
2:基区做得很薄,通常只有几微米到几十微米,而且掺杂比较少,则基区中多子的浓度很低。NPN三极管的基区为P型,故其中的多子空穴的浓度很低。从外部条件来看,外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态,而集电结处于反缶偏置状态。
3:当我们三极管的基极没有加电压的时候,发射区的电子,因为基极正电场比较弱,而不能流向基极,如果基极加上正电压之后,由外部电压给基极补充正电场,而加强。
这时候发射区的电子,才向基极移动,之后再继续流向集电极,从而形成C极和e极的电流,这样三极管就相当于一个开关了,这就是我们所说的无触点开关的工作原理,广泛应用于电子电路.上面。
三极管:
半导体基本元器件,三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。三极管就相当于一个开关其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
2024-11-20 广告