IR2110的自举电路是什么作用,不自举可以吗,直接将Vs接地
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不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通,必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右,才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点,但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时,其内阻Rds很小,甚至只有1~2mΩ,此时源极的电压基本上等于电源电压,那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压,上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。
解决的办法是,将上桥臂的驱动电路悬浮起来,Vs接上桥臂MOS管的S极,作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压(等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压)来提供对上桥臂的驱动,使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。
不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的,下桥臂MOS管的漏极D(即上桥臂MOS管的源极S)的电压,可能远高于控制回路的电压,若将Vs接地,不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求,甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
解决的办法是,将上桥臂的驱动电路悬浮起来,Vs接上桥臂MOS管的S极,作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压(等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压)来提供对上桥臂的驱动,使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。
不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的,下桥臂MOS管的漏极D(即上桥臂MOS管的源极S)的电压,可能远高于控制回路的电压,若将Vs接地,不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求,甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
追问
我是照典型电路连接的,但高边没有脉冲输出,将VS接地后貌似就正常了,这是为什么啊,自举电路咋就不工作呢,有人说要加上后边的MOS管才可以测出高边的脉冲,我加上之后仍然是那样,都调试两天了,真是想不出一点办法了,求指导,谢谢!
还有,低边没有采用自举电路,是如何保证低边的MOS管正常导通的? 谢谢
追答
1.你说的的“高边没有脉冲输出”你高边有脉冲输入吗?是在后面的MOS管和负载都连接上的情况吗?
2.低边MOS管的Vgs是以COM为参考点可以由控制回路的电压驱动就满足要求了,不需要再自举。
3.在控制回路电压与电源电压相等或接近的情况下,“将VS接地”上半桥MOS管可以导通,但不能饱和导通。因为上半桥MOS管一饱和导通,其S极的电压就与D极的电压接近,约等于最高的电源电压,G与S之间就没有要求的10V左右的电压了,MOS管就失去了饱和导通的条件。
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