Question

晶体在结构上有哪些缺陷?

Answer 1

①点缺陷，只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。

②线缺陷—位错。位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构，可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。

③面缺陷，是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。主要包括堆垛层错以及晶举禅族体内和晶体间的各种界面，如小角晶界、畴界壁袭神、双晶界面及晶粒间界等。

④体缺陷：体缺陷主要是沉淀相、晶正弊粒内的气孔和第二相夹杂物等。

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Answer 2

首先晶体在生长过程中，总是不可避免地受到外界环境中各种复杂因素不同程度影响，不可能按理想发育，即质点排列不严格服从空间岁顷格子规律，可能存在空位、间隙离子、位错、镶嵌结构等缺陷，外形可能不规则。另外，晶体形成后，还会受到外界各种因素作用如温度、溶解、挤压、扭曲等等。
　　晶体缺陷：各种偏离晶体结构中质点周期重复排列的因素，严格说，造成晶体点阵结构周期势场畸变的一切因素。
　　如晶体中进入了一些杂质。这些杂质也会占据一定的位置，这样破坏了模雀铅原质点排列的周期性，在二十世纪中期，发现晶体中缺陷的存在，它严重影响晶体性质，有些是决定性的，如半导体导电性质，几乎完全是由外来杂质原子和缺陷存在决定的，许多离子晶体的颜色、发光等。另外，固体的强度，陶瓷、耐火材料的烧结和固相反应等等均与缺陷有关，晶体缺陷是近三、四年国内外科学研究十分注意的一个内容。
　　根据缺陷的作用范围把真实晶体缺陷分四类：
　　点缺陷:在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。
　　线缺陷;在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜观察到。
　　面缺陷：在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜观察到。
　　体缺陷：在三维尺寸较大，如镶嵌块，沉淀相，空洞，气泡等。
　　按形成的原因不同分三类：
　　1 热缺陷（晶格位置缺陷）
　　在晶体点阵的正常格点位出现空位，不该有质点的位置出现了质点（间隙质点）。
　　2 组成缺陷　　
外来质点（杂质）取代正旦好常质点位置或进入正常结点的间隙位置。
　　3 电荷缺陷　　
晶体中某些质点个别电子处于激发状态，有的离开原来质点，形成自由电子，在原来电子轨道上留下了电子空穴。

Answer 3

晶体消耐宏的缺陷种类很拿册多，常见的有：
1、空位；
2、填隙；
3、晶格形变（各种亩差位错）