电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
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GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过GTR,只是工作频率比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。
单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路。
MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。
IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路。
MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。
IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
参考资料: 百度百科
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GTO具有自关断能力,但所需驱动电流和驱动功率较大。
GTR具有自关断能力,除所需驱动电流和驱动功率较大外,工作电压和电流与其它器件相比较低。有二次击穿现象。
MOSFET开关速度快,驱动功率小,但工作电压低,尤其是栅极控制电压一般不超过20V。
IGBT具有GTR和MOSFET的优点,工作电压高,工作电流大,驱动功率小,开关速度快(可达20KHz)。但栅极控制电压一般也在20V以下。
GTR具有自关断能力,除所需驱动电流和驱动功率较大外,工作电压和电流与其它器件相比较低。有二次击穿现象。
MOSFET开关速度快,驱动功率小,但工作电压低,尤其是栅极控制电压一般不超过20V。
IGBT具有GTR和MOSFET的优点,工作电压高,工作电流大,驱动功率小,开关速度快(可达20KHz)。但栅极控制电压一般也在20V以下。
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建议找本书系统的看看,很多方面不同,各有优缺点
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