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IGBT（绝缘栅双极晶体管）主要包括一下类型
1、低功率IGBT
2、U-IGBT
3、NPT-IGBT
4、SDB--IGBT
5、超快速IGBT
6、IGBT/FRD
以及封装后的IGBT功率模块
IGBT的静态特性。转移特性——IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似。如图2（a）所示。开启电压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25°C时，UGE(th)的值一般为2—6V。
具体分类肯参见：IGBT（绝缘栅双极晶体管）
http://www.cps800.com/knowledge/673.htm
图可参见：绝缘栅双极晶体管IGBT特性与研发（一）http://www.cps800.com/powerworld/337.htm
在http://www.cps800.com/的技术文摘与电源科普中搜索IGBT，会有很多资料
1、低功率IGBT
2、U-IGBT
3、NPT-IGBT
4、SDB--IGBT
5、超快速IGBT
6、IGBT/FRD
以及封装后的IGBT功率模块
IGBT的静态特性。转移特性——IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似。如图2（a）所示。开启电压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25°C时，UGE(th)的值一般为2—6V。
具体分类肯参见：IGBT（绝缘栅双极晶体管）
http://www.cps800.com/knowledge/673.htm
图可参见：绝缘栅双极晶体管IGBT特性与研发（一）http://www.cps800.com/powerworld/337.htm
在http://www.cps800.com/的技术文摘与电源科普中搜索IGBT，会有很多资料
参考资料： 在http://www.cps800.com/
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创远信科
2024-07-24 广告
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