为什么霍尔元件要进行温度补偿?主要有哪些补偿方法?
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温度补偿一般除选用温度系数小的元件、采用恒温措施、用恒流源供电等外,还要结合其它补偿电路。
霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。
半导体中电子迁移率(电子定向运动的平均速度)比空穴迁移率高,因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件霍尔元件。
常用的半导体材料N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固溶体等。
扩展资料:
霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm),在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线,称为控制电流端引线,通常用红色导线。其焊接处称为控制电流极(或称激励电流),要求焊接处接触电阻很小,并呈纯电阻,即欧姆接触(无PN结特性)。
在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线,通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔电极,要求欧姆接触,且电极宽度与基片长度之比小于0.1,否则影响输出。霍尔元件的壳体上用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。
参考资料来源:百度百科-霍尔元件
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由于在制作霍尔元件时,不可能保证将霍尔电极焊在同一等位面上,因此,当控制电流I流过元件时,即使磁场强度B等于零,在霍尔电极上仍有电势存在,该电势就称为不等位电势。对已制成的霍尔元件,可以采用外接补偿线路进行补偿,这就是电路补偿了。
霍尔元件的温度特性是指元件的内阻及输出与温度之间的关系。与一般半导体一样,由于电阻率、迁移率以及载流子浓度随温度变化,所以霍尔元件的内阻、输出电压等参数也将随温度而变化。霍尔元件温度补偿的方法主要有利用输入回路的串联电阻进行补偿和利用输出回路的负载进行补偿两种。
霍尔元件的温度特性是指元件的内阻及输出与温度之间的关系。与一般半导体一样,由于电阻率、迁移率以及载流子浓度随温度变化,所以霍尔元件的内阻、输出电压等参数也将随温度而变化。霍尔元件温度补偿的方法主要有利用输入回路的串联电阻进行补偿和利用输出回路的负载进行补偿两种。
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