mosfet中文全称
“MOSFET的全称为:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常称之为,金属氧化物半导体场效应晶体管。
扩展知识:效应管
金属氧化物半导体场效晶体管(简称:金氧半场效晶体管;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,缩写:MOSFET),是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。
以金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。
早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料,但由于多晶硅在制造工艺中更耐高温等特点,许多金氧半场效晶体管栅极采用后者而非前者金属。然而,随着半导体特征尺寸的不断缩小,金属作为栅极材料最近又再次得到了研究人员的关注。
金氧半场效晶体管在概念上属于绝缘栅极场效晶体管(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET)。而绝缘栅极场效晶体管的栅极绝缘层,有可能是其他物质,而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。
有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。