二极管的击穿原理是什么,齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别?

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sd_jack
2009-01-10 · TA获得超过1704个赞
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击穿的原理就是电场强度(能量)达到一定程度,使原来不能参与导电的电荷变成自由电荷而且数量急剧增长。
齐纳击穿与雪崩击穿只是其两种不同的表现形式而已,原理不赘述,课本上都有。

回复楼下:
别乱讲,只要限制电流与功耗,任何“击穿”都是可恢复的!
实际上掺杂浓度决定了击穿类型。通常,击穿电压<6~7V的属于齐纳击穿,高于此电压的属于雪崩击穿,这是由PN结的内部结构决定的,能不能恢复只是看PN是不是被物理地烧坏,与产生击穿的机制是无关的!
GamryRaman
2023-06-12 广告
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电位有固定的大小关系。这是因为当MOS管工作在恒流区时,由于源极和漏极电压相等,G极电压(即源极电压)为0,而D极电压(即漏极电压)受栅极电压控制。由于G极电压为0,因此在恒流区时,D极电... 点击进入详情页
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南燕老师
推荐于2017-11-26 · TA获得超过745个赞
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晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
回答者: 中华才俊网 - 大魔法师 八级

二极管的击穿原理见楼上,齐纳击穿和雪崩击穿区别在于:

齐纳击穿可恢复,齐纳二极管(稳压二极管)击穿后可以自愈,是一种正常的工作状态,齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。

雪崩击穿不可恢复,是一种非正常的工作状态,一旦二极管工作在雪崩击穿区,该二极管即已损坏报废,表现为短路,失去半导体特性。

当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时,齐纳二极管也会发生雪崩击穿,现象是二极管短路报废。
回答者: 南燕老师 - 高级魔法师 六级 1-8 15:17

参考资料: http://zhidao.baidu.com/question/81670167.html

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齐纳击穿是在临界点附近,二极管并未烧坏,雪崩击穿是临界状态以下,二极管烧坏!
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阳光洒在田园之土
2009-01-09 · TA获得超过1292个赞
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看《模拟电路》去。
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