1、点缺陷
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。
2、线缺陷—位错
位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构,可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。滑移不贯穿整个晶格,晶体缺陷到晶格内部即终止,在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界处造成质点的错乱排列,即位错。这个分界外,即已滑移区和未滑移区的交线,称为位错线。
位错有两种基本类型:位错线与滑移方向垂直,称刃位错,也称棱位错;位错线与滑移方向平行,则称螺旋位错。
刃位错恰似在滑移面一侧的晶格中额外多了半个插入的原子面,后者在位错线处终止。螺旋位错在相对滑移的两部分晶格间产生一个台阶,但此台阶到位错线处即告终止,整个面网并未完全错断,致使原来相互平行的一组面网连成了恰似由单个面网所构成的螺旋面
3、面缺陷
是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。
4、体缺陷:体缺陷主要是沉淀相、晶粒内的气孔和第二相夹杂物等。
扩展资料:
相关延伸:
缺陷晶体imperfect crystal在通常的条件下,币千何晶体中都含有缺陷。所以,所有的晶体都可以看成是缺陷晶体。实际上,只有缺陷晶体才有实际应用价值。
为得到特定的物理性质,‘常需要对晶体进行掺杂。如为了得到n型或P型半导体需要在硅中加入磷或稼等元素。为得到发射特定光谱的蒂丧材料_需尊存墓后材料中揍人稀干或讨胯今属元素。
参考资料来源:百度百科-缺陷晶体
参考资料来源:百度百科- 晶体缺陷