如何理解P型半导体和N型半导体中的多数载流子,物质不是电中性的吗?
主要是空穴,为什么说空穴导电呢?好像看到一篇资料说电子被束缚了。如下。“p”表示正电的意思。在这种半导体中,参与导电的主要是带正电的空穴,这些空穴来自于半导体中的“受主”...
主要是空穴,为什么说空穴导电呢?好像看到一篇资料说电子被束缚了。如下。“p”表示正电的意思。在这种半导体中,参与导电的主要是带正电的空穴,这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子,产生同数量的空穴,从而改变了半导体的导电性能。例如,半导体锗和硅中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中,受主杂质的数量占多数,则这半导体是p型半导体。如果在单晶硅上掺入三价硼原子,则硼原子与硅原子组成共价键。由于硼原子数目比硅原子要少很多,因此整个晶体结构基本不变,只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三价元素,外层只有三个价电子,所以当它与硅原子组成共价键时,就自然形成了一个空穴。这样,掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴,从而使硅单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子,主要靠空穴导电,所以叫做空穴半导体,简称p型半导体。~~~~~~~这样是否理解P型半导体里,电子被束缚了,而在N型里是电子比较容易脱离,所以形成PN结
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金属是导电的,但是在没有外加电场的情况下是电中性的,这是因为载流子能够导体和半导体中自由移动,而没有外加电场是不会移动的,因此无外加电场的情况下半导体是电中性的。
p型半导体由于硼与Si之间少一个成键电子,Si会有个悬挂键,这就像一个电子空位,电子会填充这个空位,而电子填充的作用可以等效为空位在半导体中的移动。当外电路提供电子时,半导体p型掺杂越大,半导体内空位越多,电子填充作用越明显,等效为空穴电流就越大。关于空穴导电的问题我在另一个回答中也有说明,你可以看看。http://zhidao.baidu.com/question/1046379319820072659.html?oldq=1
p型半导体由于硼与Si之间少一个成键电子,Si会有个悬挂键,这就像一个电子空位,电子会填充这个空位,而电子填充的作用可以等效为空位在半导体中的移动。当外电路提供电子时,半导体p型掺杂越大,半导体内空位越多,电子填充作用越明显,等效为空穴电流就越大。关于空穴导电的问题我在另一个回答中也有说明,你可以看看。http://zhidao.baidu.com/question/1046379319820072659.html?oldq=1
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