mosfet与igbt区别
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简单就应用来说：
MOSFET：主要应用在较低功率及较高频(一般功率<1000W，开关频率≥100kHz)。多用于开关电源等
IGBT：在较低频及较高功率设计中表现卓越。多用于变频器等
MOSFET：主要应用在较低功率及较高频(一般功率<1000W，开关频率≥100kHz)。多用于开关电源等
IGBT：在较低频及较高功率设计中表现卓越。多用于变频器等
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