4、利用多片512K×1位的SRAM芯片设计存储容量为512K×8位的SRAM存储器。要求：画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

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摘要亲根据您的要求，需要使用多片512K×1位的SRAM芯片设计出一块512K×8位的SRAM存储器。由于每个SRAM芯片只能存储1位信息，因此需要将这8位信息划分成8个不同的芯片进行存储。以下是该存储器的电路原理图：该电路结构包含了8个512K×1位的SRAM芯片，它们通过地址线A0～A18进行选择控制。对于512K×8位的存储器，总共需要19根地址线。其中，A0～A2用于选择8个SRAM芯片中的一个，A3～A18用于寻址该SRAM芯片中的某一位。对于控制方面，需要有写使能信号WE、读使能信号OE以及片选信号CE。写使能信号WE为低电平时，将数据线上的数据写入选择的SRAM芯片中指定的地址中；读使能信号OE为低电平时，从选择的SRAM芯片中指定的地址中读出数据并通过数据线输出；片选信号CE则用于选择需要访问的SRAM芯片。总之，该存储器的工作原理如下：通过地址线A0～A2选择需要访问的8个SRAM芯片中的一个。利用地址线A3～A18对该SRAM芯片进行寻址，确定需要访问的特定地址。根据需要进行读操作或写操作。读操作时，OE为低电平，从该SRAM芯片的指定地址中读出数据并通过数据线输出；写操作时，WE为低电平，将数据线上的数据写入该SRAM芯片的指定地址中。在以上操作过程中，需要通过片选信号CE选择需要访问的SRAM芯片。通过这样的电路和控制逻辑，就实现了512K×8位的SRAM存储器的设计。

咨询记录 · 回答于2023-06-12

4、利用多片512K×1位的SRAM芯片设计存储容量为512K×8位的SRAM存储器。要求：画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

亲根据您的要求，需要使用多片512K×1位的SRAM芯片设计出一块512K×8位的SRAM存储器。由于每个SRAM芯片只能存储1位信息，因此需要将这8位信息划分成8个不同的芯片进行存储。以下是该存储器的电路原理图：该电路结构包含了8个512K×1位的SRAM芯片，它们通过地址线A0～A18进行选择控制。对于512K×8位的存储器，总共需要19根地址线。其中，A0～A2用于选择8个SRAM芯片中的一个，A3～A18用于寻址该SRAM芯片中的某一位。对于控制方面，需要有写使能信号WE、读使能信号OE以及片选信号CE。写使能信号WE为低电平时，将数据线上的数据写入选择的SRAM芯片中指定的地址中；读使能信号OE为低电平时，从选择的SRAM芯片中指定的地址中读出数据并通过数据线输出；片选信号CE则用于选择需要访问的SRAM芯片。总之，该存储器的工作原理如下：通过地址线A0～A2选择需要访问的8个SRAM芯片中的一个。利用地址线A3～A18对该SRAM芯片进行寻址，确定需要访问的特定地址。根据需要进行读操作或写操作。读操作时，OE为低电平，从该SRAM芯片的指定地址中读出数据并通过数据线输出；写操作时，WE为低电平，将数据线上的数据写入该SRAM芯片的指定地址中。在以上操作过程中，需要通过片选信号CE选择需要访问的SRAM芯片。通过这样的电路和控制逻辑，就实现了512K×8位的SRAM存储器的设计。

你好这原理图就是这张吗

亲对的，希望对您有所帮助，

好的谢谢

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