Question

pitch=2.5mm的68nf的瓷片电容是什么意思

Answer 1

问：pitch=2.5mm的68nf的瓷片电容是什么意思

答：电容的标称及识别方法：1.直标法：如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF=1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。2.不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，0.5为0.5pF。3.色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。瓷片电容器有高压瓷片和普通瓷片电容器，普通瓷片电容器耐压过去标准是50V，高压瓷片电容器有几百伏的，有几千伏的，一般在容值下面标出XXKV。

答：电容的容量标识的几种方法：一、直接标识：如其电解电容，容量47uf，电容耐压25v。二、使用单位nf：如上图的涤纶电容，标称4n7，即4.7nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即0.01uf;33n，即0.033uf。后面的63是指电容耐压63v。三、数学计数法：如瓷介电容，标值104，容量就是：10X10000pf=0.1uf.如果标值473，即为47X1000pf=0.047uf。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pf=3300pf。 电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障（常见电容爆裂）。

答：瓷片电容的读数方法瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同，分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法 （nF），1纳法=1000皮法（pF）。容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

答：

问：列举3个常用半导体器件的特性

答：.热敏特性半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半导体的热敏特性，可以制作感温元件——热敏电阻，用于温度测量和控制系统中。值得注意的是，各种半导体器件都因存在着热敏特性，在环境温度变化时影响其工作的稳定性。

答：光敏特性半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小；无光照时，电阻率很大。例如，常用的硫化镉光敏电阻，在没有光照时，电阻高达几十兆欧姆，受到光照时．电阻一下子降到几十千欧姆，电阻值改变了上千倍。利用半导体的光敏特性，制作出多种类型的光电器件，如光电二极管、光电三极管及硅光电池等．广泛应用在自动控制和无线电技术中。

答：掺杂特性在纯净的半导体中，掺人极微量的杂质元素，就会使它的电阻率发生极大的变化。例如．在纯硅中掺人.百万分之—的硼元素，其电阻率就会从214000Ω·cm一下于减小到0.4Ω·cm．也就是硅的导电能为提高了50多万倍。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素，人为地精确地控制半导体的导电能力，制造成不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件，都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的。