Question

在自关断器件GTR,GTO,电力MOSFET,IGBT中,可能因静电积累损坏的器件是

Answer 1

问：在自关断器件GTR,GTO,电力MOSFET,IGBT中,可能因静电积累损坏的器件是

答：您好，在自关断器件GTR,GTO,电力MOSFET,IGBT中,可能因静电积累损坏的器件是：GTR、MOSFET和 SITH(静电感应晶闸管)。容易受静电损坏的元件有：高压、大电流、发热的元器件，感性元件等。

问：有源逆变电路，负载中电动势的极性应与晶闸管的导通方向一致，其值应大于交流电路直流侧的平均电压，另外α的要求是 Aα＞n/2 Bα﹤n/2 Cα＝n/2 D α＝n

答：这句话是对的。直流侧必须有直流电动势源，其极性与晶闸管的导通方向一致，其值应稍大于变流 器侧的平均电压。变流器必须工作在α>90° 区域,使U d <0

问：全控型电力电子器件中，可能因二次击穿损坏的元件是 A.GTR B.GTO C.IGBY D.电力MOSFET

答：亲，可以提升服务。

问：?

答：全控型电力电子器件中，可能因二次击穿损坏的元件是.GTR

问：三相半波或桥式有源逆变电路，设在换相时最大重叠角γ可能达到16°，晶闸管的关断时间为200μs,约合4°。那么为保证逆变不失败，最小逆变角βmin必须满足 Aβmin＜20° Bβmin＞25° Cβmin＝16°

答：可以满足。