三极管3DD150参数

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摘要 亲亲您好呢!三极管3DD150的性能参数有:1、额定电压:最大峰值反向传导电压VRRM = 150V,反向恢复时间trr<= 8.0μS;2、额定功率:PD = 20W;3、额定功率损失:PD = 1.6W;4、额定反向电流:最大反向峰值正向电流IFSM = 15A;5、最小直流阻抗:Zth(j-a)≤ 1.6Ω;6、最大正向容性:Cjmax≤ 1200pF;7、最大耗散因数:峰值相对损耗tgδ≤ 1.0%;8、最高临界重复率频率:fT= 300Hz;9、最高导通的重复率频率:fH= 300KHz;此外,三极管3DD150具有的特点还包括低结电容CJ,高频高性能,结温高达批热耐克,无论二极管采用封装工艺还是硅晶片工艺,它都具有优良的抗焊温度行为特性;并具有优异的抗干扰特性,阻断截止电压VR低。
咨询记录 · 回答于2023-06-10
三极管3DD150参数
亲亲您好呢!三极管3DD150的性能参数有:1、额定电压:最大峰值反向传导电压VRRM = 150V,反向恢复时间trr<= 8.0μS;2、额定功率:PD = 20W;3、额定功率损失:PD = 1.6W;4、额定反向电流:最大反向峰值正向电流IFSM = 15A;5、最小直流阻抗:Zth(j-a)≤ 1.6Ω;6、最大正向容性:Cjmax≤ 1200pF;7、最大耗散因数:峰值相对损耗tgδ≤ 1.0%;8、最高临界重复率频率:fT= 300Hz;9、最高导通的重复率频率:fH= 300KHz;此外,三极管3DD150具有的特点还包括低结电容CJ,高频高性能,结温高达批热耐克,无论二极管采用封装工艺还是硅晶片工艺,它都具有优良的抗焊温度行为特性;并具有优异的抗干扰特性,阻断截止电压VR低。
是NpN还是pNp型,再请告集电极丶基极丶发射极怎么区分?谢谢
亲亲NPN型是指晶体管中有三个极:一个栅极(基极),一个收集极和一个发射极。栅极(基极)是连接到片材两个面中间层的电极;收集极是片材的外围电极,对晶体管物理参数有影响;发射极是晶体管内部的电极,它是由P型外层材料电极和N型内层材料电极构成的,收集极和发射极内部的电路有反向传导的关系,使收集极可以控制发射极。而PNP型晶体管的区别在于与NPN型晶体管电极的区别,即NPN型晶体管的栅极(基极)是P类材料,收集极发射极是N型材料,而PNP型晶体管的栅极(基极)是N类材料,收集极发射极是P型材料。关于什么是NPN还是PNP型,在晶体管内部的构成是不同的,是由N型片材和P型片材组成的元件,片材性质是按其电压特性进行分类的,N型电压特性是以负压偏置,而P型电压特性是以正压偏置的。NPN型晶体管的基极是N型电压特性;收集极是P型电压特性;发射极是N型电压特性。其电路电路中的反向传导结构使得收集极可以控制发射极的发射。PNP型晶体管的基极是P型电压特性;收集极是N型电压特性;发射极是P型电压特性。和NPN型晶体管的结构类似,但是基极是P型材料,收集极发射极是N型材料,也有反向传导的结构,使收集
请问3DD150这个三极管的基极,发射极,集电极怎么区分?
亲亲,3DD150三极管由基极,发射极和集电极组成,可以用于放大、驱动或信号转换的电路中。各个极的特征如下:基极:是三极管的中心极,也称栅极。接通这个极,使得三极管可以正常工作。发射极:发射极的尖端靠近负极,可把基极电位的变化介绍到集电极,使得三极管具有放大或控制信号能力。集电极:集电极是连接到负极的,使得信号从发射极传输到负极来实现放大或控制信号的功能。使用三极管时,可以根据其型号得出各个极的位置,比如3DD150的位置如下:基极为第一脚(侧面为S字),发射极为第二脚,集电极为第三脚。
3DD150是有两个脚和外壳,外壳是什么极?是基极?发射极?还是集电极?
亲亲,3DD150是一款三维投影显示器,其中有一个类似屏幕的外壳,里面有两个脚。这两个脚原来不是基极、发射极或集电极,而是用于连接电源和其他设备的脚。然而,这两个脚可以用作发射极、基极或集电极。它们有两个发射极和一个基极,当使用时,可以将一个发射极连接到基极,另一个发射极连接到带电的电源,以便在电压引入时产生磁场,从而达到运行终端的投影显示器显示效果。因此,这两个脚可以用作发射极、基极或集电极,取决于当前连接的电路系统。
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