Question

(3)有一0=50的晶体管,工作在 Vcc=5VR1=1k的共-|||-发射极电路中,当基极电流IR

Answer 1

问：(3)有一0=50的晶体管,工作在 Vcc=5VR1=1k的共-|||-发射极电路中,当基极电流IR

问：(3)有一β=50的晶体管，工作在Vcc=5V、RL=1kΩ的共发射极电路中，当基极电流IB=50 uA时，该晶体管是否进入饱和状态?若负载R改为5kΩ又将如何?

答：1.首先需要计算晶体管的饱和电流IB(sat)。根据公式IB(sat)=βIB，其中β为晶体管的直流放大因子，IB为基极电流，代入数据可得：IB(sat)=5050 uA=2500 uA。然后计算负载线的截距VCEQ，根据公式VCEQ=Vcc-IB(sat)RL，代入数据可得：VCEQ=5V-2500 uA1kΩ=2.5V。最后判断是否进入饱和状态，当集电极电压低于VCEQ时，晶体管处于饱和状态。对于共发射极电路，VCE=saturation voltage，一般取值在0.2~0.3V左右。因此当VCE

答：2.如果将负载电阻R从1kΩ变为5kΩ，那么负载线的截距VCEQ会发生变化，根据公式VCEQ=Vcc-IB(sat)RL，代入数据可得：VCEQ=5V-5050 uA*5kΩ=2.25V。此时，如果基极电流仍然为50 uA，则晶体管的饱和电流仍为IB(sat)=50*50 uA=2500 uA。然而此时负载电阻增大，相应的负载线会更趋近于垂直于横轴，即更加陡峭。因此，在负载电阻增大的情况下，晶体管可能会进入饱和状态。