一道半导体器件物理的题求解

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摘要 亲亲,您好。很高兴为您解答
证明bjt中ic/ib=β=τp/τi(τi为渡越时间)计算如下:
BJT的工作原理是PNP或者NPN三极管,其基本特性是输入的电流控制输出的电路中的电流,即小信号模型中的电流传输比β。在BJT的小信号模型中,可将其看作是一组输入输出电流和电压等基本参数之间的关系式。具体来说,输入的电流(I_B)和输出的电流(I_C)之间是基于电流放大的比率关系(β)(其中β是BJT的电流传输比,单位为A/A),用公式表示为:I_C = βI_B。
接下来我们来进行证明:
1. τp是发射结电容电荷储存时间常数。当基极电压由低电平变成高电平时,发射结第一时间处于截止状态,此时发射结内有一反向偏置电容Ca,在开电位状况下放电。放电完毕时等效注入电子否极情况,发生大信号冲击。τp反应的是存储时间。
2. τi指的是极间耦合电容电荷反转所需的时间,即电容内所有电荷反转完毕所需的时间。当基极输入信号发生变化时,中间极间耦合电容内的电荷也要反转过来,此过程需要的时间就是τi时延。从上述两点可以看出,τp代表的是从输出端向输入端结构内移动的电子或空穴的储存时间,而τi代表的是电子或空穴在输入结到达输出端的时间。因此,当τi/τp越大时,输入信号的传递时间越长,传递速度越慢。
我们知道,电流增益β等于I_C/I_B,也就是输出电流和输入电流的比率,那么可以得到:β = I_C/I_B在BJT中,输运时间τt=t_f+t_r+t_i+t_o=T_f/2+T_r/2+T_i/2+T_o/2,其中τi为基极输入信号到达发射区所需的时间,则:τt/τp=1+τi/τp,τt/τp-1=τi/τp,代入电流增益β等于I_C/I_B中:τt/τp-1=τi/τp,(τt-τp)/τp=τi/τp,τt/τp= τi/τp + 1,β=I_C/I_B=τp/τi。因此,IC/IB=β=τp/τi,也就是说BJT的电流放大比与发射结电容电荷储存时间和基区时间有关。
咨询记录 · 回答于2024-01-07
一道半导体器件物理的题求解
亲~您可以说说具体情况吗?老师为您提供解决方案哦~
这个题
亲 老师看不到图 麻烦您写出来给老师
证明bjt中ic/ib=β=τp/τi(τi为渡越时间)
亲爱的用户,您好! 首先,让我们一起探讨一下BJT中IC/IB=β=τp/τi(其中τi为渡越时间)的证明过程。 BJT,也就是双极结型晶体管,其工作原理基于PNP或NPN三极管。在它的基本特性中,我们关注的是输入电流对输出电路中电流的控制,这在小信号模型中表现为电流传输比β。在小信号模型中,我们可以将BJT视为一组输入输出电流和电压等基本参数之间的关系式。具体来说,输入电流(I_B)和输出电流(I_C)之间的关系基于电流放大的比率(β),其中β是BJT的电流传输比,单位为A/A。这个关系可以用公式表示为:I_C = βI_B。 接下来,我们来证明这个关系: 1. τp是发射结电容电荷储存时间常数。当基极电压从低电平变为高电平时,发射结第一时间处于截止状态。此时,发射结内有一个反向偏置电容Ca,它会在开电位状况下放电。放电完毕时相当于注入电子的极性被改变,这会导致大信号冲击。τp反应的是存储时间。 2. τi指的是极间耦合电容电荷反转所需的时间,也就是电容内所有电荷反转完毕所需的时间。当基极输入信号发生变化时,中间极间耦合电容内的电荷也要反转过来,此过程需要的时间就是τi时延。从这两点可以看出,τp代表的是从输出端向输入端结构内移动的电子或空穴的储存时间,而τi代表的是电子或空穴在输入结到达输出端的时间。因此,当τi/τp越大时,输入信号的传递时间越长,传递速度越慢。 我们知道,电流增益β等于I_C/I_B,也就是输出电流和输入电流的比率。由此我们可以得到:β = I_C/I_B。在BJT中,输运时间τt=t_f+t_r+t_i+t_o=T_f/2+T_r/2+T_i/2+T_o/2,其中τi为基极输入信号到达发射区所需的时间。由此我们可以得到:τt/τp=1+τi/τp,τt/τp-1=τi/τp。代入电流增益β等于I_C/I_B中,我们得到:τt/τp-1=τi/τp,(τt-τp)/τp=τi/τp,τt/τp= τi/τp + 1,β=I_C/I_B=τp/τi。 因此,我们证明了IC/IB=β=τp/τi。也就是说,BJT的电流放大比与发射结电容电荷储存时间和基区时间有关。
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