Question

以n型半导体为例,说明掺杂半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

Answer 1

问：以n型半导体为例,说明掺杂半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

答：你好，根据你描述的问题，以n型半导体为例,说明掺杂半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的解析内容如下：在n型半导体中，磷、砷等五价元素掺杂到硅、锗等四价元素的半导体中，由于五价元素比四价元素多一个电子，掺杂后的晶体中就会出现多余的电子，这些电子称为自由电子，是n型半导体中的多数载流子。这些自由电子可以通过外加电场或其他激发方式而移动，从而形成电流。

答：而在n型半导体中，由于掺杂五价元素与四价元素不匹配，导致四价元素周围的原子缺少一个电子，形成电子空穴。这些电子空穴数量相对较少，称为n型半导体中的少数载流子。电子空穴可以通过吸收自由电子而重新形成原子与原子之间的化学键，从而同时形成电流。

答：因此在n型半导体中，自由电子是主要的载流子，所以n型半导体具有高的电导率，同时电子空穴的浓度比较低，电子空穴数目相对较少，因此n型半导体的导电性能主要取决于自由电子浓度而不是电子空穴浓度喔。