高考物理大题
1个回答
关注
展开全部
由于涉及到较多的物理概念和计算,我将分别回答每个问题。1. 当加在MN板间电压U等于多少时粒子恰好能沿AO(z轴负方向)打到荧光屏中心?解析:在两板间加电压U时,电场强度为E=U/d。在MN板间加入垂直于轨道平面的匀强磁场,根据洛伦兹力的方向,粒子最后的运动方向应该是垂直于电场垂线的方向。同时由于匀强磁场的作用,粒子的轨迹变成了一段半径为r的圆弧,力的大小为qvB,方向垂直于粒子在磁场中的速度和磁场方向的平面。综合两个力的作用,可得mv²/r=qvB, E=qE解出粒子的速度和半径为v=qBrd/m, r=mv/qB根据几何关系,粒子进入荧光屏的位置与MN板间距离为L = 2r cosθ,其中θ为粒子入射平面与z轴夹角将L代入上式,并将粒子能正好打在荧光屏中心的条件转化为L的最小值为0,可得电压U的表达式为U = Bd^2/4L
咨询记录 · 回答于2023-05-11
高考物理大题
由于涉及到较多的物理概念和计算,我将分别回答每个问题。1. 当加在MN板间电压U等于多少时粒子恰好能沿AO(z轴负方向)打到荧光屏中心?解析:在两板间加电压U时,电场强度为E=U/d。在MN板间加入垂直于轨道平面的匀强磁场,根据洛伦兹力的方向,粒子最后的运动方向应该是垂直于电场垂线的方向。同时由于匀强磁场的作用,粒子的轨迹变成了一段半径为r的圆弧,力的大小为qvB,方向垂直于粒子在磁场中的速度和磁场方向的平面。综合两个力的作用,可得mv²/r=qvB, E=qE解出粒子的速度和半径为v=qBrd/m, r=mv/qB根据几何关系,粒子进入荧光屏的位置与MN板间距离为L = 2r cosθ,其中θ为粒子入射平面与z轴夹角将L代入上式,并将粒子能正好打在荧光屏中心的条件转化为L的最小值为0,可得电压U的表达式为U = Bd^2/4L
2. 在满足(1)的条件下,粒子源持续、均匀地每秒射出N个粒子,撤去MN两板间的磁场,两板间加电压Unm-kUo,保证粒子能打到荧光屏上,求k的最大取值和粒子打到荧光屏的位置。解析:当磁场被移除时,粒子的运动轨迹变成直线运动。根据前面的推导,粒子进入荧光屏的位置为L = Bd^2/4U其中U = Unm - kUo,代入可得L = Bd^2/(4Unm - 4kUo)对于进入荧光屏的N个粒子,它们的初始位置和速度都相同,因此其轨迹相同。因此进入荧光屏的粒子在屏幕上会形成一个聚焦斑点。为了计算这个斑点的位置,我们可以考虑斑点的中心与轴线A0的距离为x,斑点宽度为∆x,粒子从MN板右侧射出时,粒子进入荧光屏的位置可以理解为光源,那么斑点完全由粒子在电场中的运动轨迹决定。由于粒子在电场中的受力变化,粒子的速度和方向都发生了变化。设粒子在电场中的运动时间为t,则粒子在直线段末端的速度为v = v₀ + Et,位移为L2 = v₀t + (1/2)Et²。通过将磁场移除后的轨迹延长至与带电粒子在磁场中的轨迹相交,可以得到此时粒子的位置为L₁ = L - L₂。从而得到v₀t + (1/2)Et² + v₀(L - L₂ - vt) + (1/2)E(L - L₂ - vt)^2 = 0根据轨道的几何关系,可将纵向轨迹分成两段:从MN板右侧射入直至抵达弯曲点A,以及从A点沿荧光屏倾斜的轨迹,这两段轨迹共用一个总时间t。因此,斑点的中心与z轴的距离为x = (L/2) + (L/2)sinα - vt其中α为粒子进入荧光屏的方向与MN板法向的夹角,反三角函数可以求出它的值。速度v的大小可以通过在电场中受到的力的大小计算。最终,我们需要通过数值模拟的方式得出不同k值下的斑点位置。
3. 若大量粒子从MN板右侧(0,0,Lz)点以vo射出,但偏离z轴负方向有很小角度的散射(角度分布在0~π/4弧度范围内的一切方向),这些粒子有无可能聚焦在荧光屏一点上?若可能则求出Lz需满足的条件和聚在哪一点上。若不可能请说明理由。解析:偏离轴线的散射会使得进入荧光屏的粒子在屏幕上形成散斑,而不是一个聚焦的斑点。这是由于如果角度偏离较小,粒子在垂直于轨道平面和偏离轴线方向的两个方向很快就会出现位移,其轨迹并不能严格按照前面计算的一条曲线运动。因此,在本题的条件下,不可能通过偏离轴线的散射聚焦粒子。
过程能写下来拍照发给我吗
亲亲~由于咨询的人比较多,老师这边现在没有时间写下来,老师上面发给您的解答中也有过程的哦,还希望能够对您有所帮助~
19
亲亲~由于我们查询的解答也是通过网络,我这边为您查询到的解答会出现一些乱码,还请您谅解~如果无法帮助到您,我感到非常抱歉
1. 前0.20s流过cd棒的电流方向、大小。解析:根据电磁感应定律,在导体中产生感应电动势,感应电动势大小为$$\varepsilon = \int_{\partial S}\vec{E}\cdot d\vec{l} = -\frac{d\Phi_B}{dt}$$其中,$\partial S$为任意一条围绕导体的封闭回路,$\vec{E}$为感应电场强度,$\Phi_B$为磁通量。在本题中,导体棒在磁场中运动时,导体中会产生感应电动势,从而导致产生感应电流。首先考虑cd棒。由电磁感应定律,右半导轨产生的磁通量变化率即为导体棒cd中电动势的大小,也就是感应电动势。由于右半导轨中的磁场强度在0.2s后不变,所以前0.2s内电动势大小为$$\varepsilon = -\frac{d\Phi_B}{dt} = -B\cdot\frac{1}{2}(L-0.4)\cdot v$$其中$v=v_o$为“工”字形框架的运动速度。由于导体棒为闭合回路,所以感应电流方向与右手螺旋定则一致,方向为逆时针。感应电流大小为$$I = \frac{\varepsilon}{R} = -\frac{B\cdot(0.8-3L)\cdot v_o}{2R} = -\frac{6-21v_o}{R}$$2. ef棒运动到x=1m处的速度大小。解析:在cd棒和ef棒发生碰撞后,ef棒受到的拉力大小为$F=I(R+r)=(-\frac{6-21v_o}{R})(R+0.1)$。在ef棒受到拉力的作用下,方程为$\frac{1}{2}mv^2=(R+r)FL$。因此ef棒运动到x=1m处的速度大小为:$$v=\sqrt{\frac{10(R+r)(-6+21v_o)}{mL}}$$3. ef棒从x=0运动到x=1m过程中克服安培力做的功。解析:在ef棒沿导轨向x轴正方向运动时,安培力会沿着相反的方向对它进行功。安培力大小为$F=I(R+r)=(-\frac{6-21v_o}{R})(R+0.1)$,根据功的定义可得:$$W = F\cdot s = (-\frac{6-21v_o}{R})(R+0.1)\cdot 1 = -0.7v_o + 2.1$$其中,s为ef棒在导轨上运动的距离,取为1m。
4. ef棒从x=0运动到x=1m过程中拉力的平均功率。解析:拉力功率等于拉力做功的速率,即$P=F\cdot v$。在ef棒在x轴正方向上匀加速运动时,它的速度v随着时间t的增长而增加,因此拉力功率也随着时间发生变化。实际上,$$v = v_o + at = v_o + \frac{F}{m}t = v_o + \frac{I(R+r)}{m}t$$将公式代入拉力功率公式可得:$$P = F\cdot v = (-\frac{6-21v_o}{R})(R+0.1)(v_o + \frac{I(R+r)}{m}t)$$在ef棒运动到x=1m时,$t=\sqrt{\frac{2mL}{10(R+r)(6-21v_o)}}$。因此拉力在该过程中平均功率为:$$\begin{aligned}P_{avg} &= \frac{W}{t} = -(\frac{6-21v_o}{R})(R+0.1
根本看不懂,那你写第18题吧
(1) 由机械能守恒可得:$$mgh=\frac{1}{2}mv^2+\frac{1}{2}I(\frac{v}{R})^2+\frac{1}{2}mv_c^2$$其中$v_c$为滑块P落到轨道BC底端时的速度,$I$为滑块P绕过圆弧轨道CD时相对于C点的转动惯量,由于滑块大小不计,$I=\frac{1}{2}mR^2$。代入数据计算得:$$v=\sqrt{\frac{2gh}{1+\frac{1}{2}(\frac{v_c}{v})^2}}$$由动能守恒可得:$$\frac{1}{2}mv_c^2=\frac{1}{4}\frac{1}{2}mv^2$$解得$v_c=\frac{1}{\sqrt{2}}v$。代入上式得:$$v=\sqrt{\frac{4gh}{3}}$$(2) 由机械能守恒可得:$$mgh=\frac{1}{2}mv^2+\frac{1}{2}I(\frac{v}{R})^2+\frac{1}{2}mv_c^2$$其中$v_c$为滑块P落到轨道BC底端时的速度,$I$为滑块P绕过圆弧轨道CD时相对于C点的转动惯量,由于滑块大小不计,$I=\frac{1}{2}mR^2$。代入数据计算得:$$v=\sqrt{\frac{2gh}{1+\frac{1}{2}(\frac{v_c}{v})^2}}$$由动量守恒可得:$$m(v-v_c)=mv_1$$其中$v_1$为滑块Q被P正碰后的速度,代入上式解得:$$v=\frac{2v_1}{3}$$代入机械能守恒式中,注意到$BC$之间没有相对滑动,故$v_c$可以用$v$表示:$$mgh=\frac{7}{8}mv^2+\frac{1}{2}mR^2(\frac{v}{R^2})^2+\frac{1}{8}mv^2$$化简可得:$$h=\frac{13}{16}\frac{v^2}{g}+\frac{1}{2}\frac{v^2}{g}+\frac{1}{16}\frac{v^2}{g}-R\sqrt{1-\frac{v^2}{4gR}}$$代入数据计算得:$$h=\frac{17}{16}R-R\sqrt{\frac{15}{32}}$$
(3) 类似于(2),由动量守恒可得:$$m(v-v_c)=mv_1$$其中$v_c$为滑块Q落到圆弧轨道下端时的速度。注意到在圆弧轨道上滑动过程中,滑块Q与轨道的相对速度沿着切线方向,故$v_c$等于滑块Q相对于圆弧轨道下端的速度。考虑从圆弧轨道上端到下端期间,滑块Q做的功为$mgh_1$,机械能守恒可得:$$mgh_1+\frac{1}{2}mu_c^2=\frac{1}{2}mv_1^2+\frac{1}{2}mR^2(\frac{v_1}{R^2})^2$$其中$u_c$为滑块Q下落到圆弧轨道下端时相对于圆弧轨道的速度。此时滑块Q与圆弧轨道有相对运动,因此用运动学公式求解较麻烦。考虑到滑块Q始终与圆弧轨道紧贴,可以利用运动过程中机械能守恒的特点进行求解。设圆弧轨道下端高度为$h_2$,将求解$h_2$的过程划分为两个阶段。第一阶段为滑块Q由圆弧轨道上端滑动到圆弧轨道下端的过程,第二阶段为滑块Q从圆弧轨道下端沿直线运动至击中骨牌的过程。第一阶段:机械能守恒可得:$$\frac{1}{2}mu_c^2+mgh_1=mgh_2+\frac{1}{2}mR^2(\frac{v_2}{R^2})^2$$其中$h_2$为圆弧轨道下端的高度,$v_2$为圆弧轨道下端滑块Q的速度。由于滑块Q始终与圆弧轨道紧贴,故圆弧轨道下端的切线速度就等于滑块Q的速度$v_2$,即$v_2=R\sqrt{g(h_1-h_2)}$。代入上式可得:$$h_2=h_1-\frac{3}{8}R$$第二阶段:机械能守恒可得:$$\frac{1}{2}mv_2^2=mgx_2$$其中$x_2$为骨牌离$O$的距离。代入$v_2$可得:$$x_2=\frac{1}{2}h_2-\frac{3}{16}R$$代入第一阶段的结果可得:$$x_2=\frac{5}{16}(R-h_1)$$代入$h_1=\frac{17}{16}R-R\sqrt{\frac{15}{32}}$可得:$$x_2=\frac{5}{16}R\sqrt{\frac{15}{32}}$$化简可得:$$x_2=\frac{5\sqrt{15}}{32
亲亲~由于我们查询的解答也是通过网络,我这边为您查询到的解答会出现一些乱码,还请您谅解~如果无法帮助到您,我感到非常抱歉
我们可以利用机械能守恒来解决这个问题。首先,设滑块P从高度h处开始下滑,下滑到斜面底端B时速度大小为v。设滑块Q质量为m,其与滑块P发生碰撞之前的速度大小为u,碰撞后两个滑块的速度分别为v'和u'。设P碰前的动能为K1,P碰后的动能为K2,Q碰前的动能为K3,Q碰后的动能为K4。碰撞时系统损失的动能为P碰前动能的1/4,则有:K1 - K2 + K3 - K4 = (1/4)K1由于滑块P在滑到斜面底端B时没有发生碰撞,因此K2=0。又因为滑块Q静止在C点,因此K3=0。于是上式可以简化为:K1 = K4 + (1/4)K1解得:K4 = (3/4)K1根据机械能守恒,我们可以列出下面的式子:(m/2)v^2 + mg(h-Lsinθ) = (m/2)v'^2 + (m/2)u'^2 + mgh + K4其中,θ是斜面的倾角。设圆弧轨道CD的长度为L',则有L' = πR/2。由于滑块P从斜面底端B滑到圆弧轨道CD最高点D时没有发生能量转化,因此有:(m/2)v'^2 + mg(L-L'cosθ) = (m/2)u'^2 + mgh将上两式代入机械能守恒式中,消去v'和u',得到:(m/2)v^2 + mg(h-Lsinθ) = (m/2)u^2 + mg(L-L'cosθ) + mgh + K4代入K4=(3/4)K1,化简可得:v^2 = 2g(h-Lsinθ) - (3/2)g(L-L'cosθ)代入L' = πR/2,化简可得:v^2 = 2g(h-Lsinθ) - (3/2)g(R-Rcosθ)代入R = L/sinθ,化简可得:v^2 = 2g(h-Lsinθ) - (3/2)g(L-Lcosθ)代入Lcosθ = sqrt(R^2 - L^2sin^2θ),化简可得:v^2 = 2g(h-Lsinθ) - (3/2)g(L-sqrt(R^2-L^2sin^2θ))代入R = L/sinθ,化简可得:v^2 = 2g(h-Lsinθ) - (3/2)gL(1-cosθ)最终的答案为v的平方,即:v^2 = 2g(h-Lsinθ) - (3/2)gL(1-cosθ)
亲亲~这是为您查询到的第18题的第一小问