Question

半导体二极管、稳压二极管、晶体管、晶闸管以及单结晶体管等各有几个pn结

Answer 1

问：半导体二极管、稳压二极管、晶体管、晶闸管以及单结晶体管等各有几个pn结

答：在二极管中有1个PN结。是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在交界面就形成空间电荷区称为PN结。 二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。 晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。 当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。相关回答

答：PN结的反向击穿电压是多少?二极管三极管和稳压管是否一样呢? PN结的击穿特性 当PN结上加的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PN结的反向击穿。PN结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压，用VB表示。反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。 1．雪崩击穿 当反向电压较高时，结内电场很强，使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。当它与结内原子发生直接碰撞时，将原子电离，产生新的"电子一空穴对"。这些新的"电子一空穴对"，又被强电场加速再去碰撞其它原子，产生更多的"电子一空穴对"。 如此链锁反应，使结内载流子数目剧增，并在反向电压作用下作漂移运动，形成很大的反向电流。这种击穿称为雪崩击穿。显然雪崩击穿的物理本质是碰撞电离。 2．齐纳击穿 齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。

答：由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。 它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。 采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。 在5～8V之间两种击穿可能同时发生。 二极管和三极管PN结的反向击穿电压都不一样，bc结是反向电压，同样有各种击穿电压。稳压管也有各种电压。当然都有最大电流设计

问：可以直接告诉我有几个pn结吗

答：一般是一个二极管中有1个PN结。 但双向二极管里有2个PN结。但实质还是1个，因为它有3根引出线，实质是2个二极管。