Question

杂质半导体中的载流子特性

Answer 1

问：杂质半导体中的载流子特性

答：您好，很高兴为您解答杂质半导体中的载流子特性：杂质半导体中的载流子特性，通常与杂质原子的掺入方式、浓度以及半导体基底种类等因素有关。杂质掺入后会形成能带能级，改变半导体的电学性质。P型半导体：在P型半导体中，杂质原子掺入使得半导体中央区域形成空穴，即少了一个电子的正电子，空穴作为载流子参与电子迁移。这些空穴会沿着电场方向移动，即从负电势区域移动到正电势区域。P型半导体的导电性以空穴为载流子，提供了一种高效的电子传输方式。

答：亲亲拓展： N型半导体：在N型半导体中，杂质原子掺入使得半导体中央区域形成多余的电子，即N型半导体的载流子是电子。这些电子会沿着电场方向移动，即从负电势区域移动到正电势区域。N型半导体的导电性以电子为载流子，提供了一种高效的电子传输方式。 氢同位素掺杂半导体：氢同位素元素在半导体中掺杂后，会通过与半导体材料发生化学反应形成氢离子和电子。其具有负载流子性质，可以通过半导体材料的透明表面注入，从而改变半导体材料的电学特性。