绝缘栅场效应管,衬底源极间,和衬底漏极间pn结都是反偏截止的,确保不露电,
1个回答
关注
![]()
展开全部
您好，很荣幸帮您解答- - 漏极相当于双极型晶体管的C极，源极相当于e极，栅极相当b极，但二者的控制原理不一样，场效应管为压控器件，晶体管为流控器件.当栅源电压大于开启电压时，漏源之间导通，电流由漏极流向源极.也就是说漏极是接正电压的，源极接地.
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。【希望回答对您有帮助，亲爱的】
咨询记录 · 回答于2021-11-13
绝缘栅场效应管,衬底源极间,和衬底漏极间pn结都是反偏截止的,确保不露电,
您好，小编正在查询相关的信息，马上回复您。
您好，很荣幸帮您解答- - 漏极相当于双极型晶体管的C极，源极相当于e极，栅极相当b极，但二者的控制原理不一样，场效应管为压控器件，晶体管为流控器件.当栅源电压大于开启电压时，漏源之间导通，电流由漏极流向源极.也就是说漏极是接正电压的，源极接地.场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。【希望回答对您有帮助，亲爱的】
已赞过
评论
收起
你对这个回答的评价是？
本回答由英华检测提供