对于一个单级点系统来说,单位增益带宽为80Mhz,若现在带宽变为16MHz,则环路增益为,闭环增益为
1个回答
关注
展开全部
您好,很高兴为您解答对于一个单级点系统来说,单位增益带宽为80Mhz,若现在带宽变为16MHz,则环路增益为,闭环增益为:其中A_{OL}A OL 是开环增益,\betaβ是反馈系数。由于这是一个单级点系统,因此不存在反馈,所以\beta=0β=0。 因此,上述公式变为A_{CL} = \frac{A_{OL}}{1+0\times A_{OL}}=A_{OL}A CL = 1+0×A OLA OL =A OL因此,闭环增益等于开环增益。 现在只需要找到新的环路增益并计算它就可以了。根据定义,环路增益等于从系统的输出到输入之间的增益。 对于一个单级点系统,开环增益等于单个放大器的增益,因此可以使用下面的公式计算:A_{OL} = \frac{BW}{f_t}A OL = f tBW哦。
咨询记录 · 回答于2023-06-13
对于一个单级点系统来说,单位增益带宽为80Mhz,若现在带宽变为16MHz,则环路增益为,闭环增益为
您好,很高兴为您解答对于一个单级点系统来说,单位增益带宽为80Mhz,若现在带宽变为16MHz,则环路增益为,闭环增益为:其中A_{OL}A OL 是开环增益,\betaβ是反馈系数。由于这是一个单级点系统,因此不存在反馈,所以\beta=0β=0。 因此,上述公式变为A_{CL} = \frac{A_{OL}}{1+0\times A_{OL}}=A_{OL}A CL = 1+0×A OLA OL =A OL因此,闭环增益等于开环增益。 现在只需要找到新的环路增益并计算它就可以了。根据定义,环路增益等于从系统的输出到输入之间的增益。 对于一个单级点系统,开环增益等于单个放大器的增益,因此可以使用下面的公式计算:A_{OL} = \frac{BW}{f_t}A OL = f tBW哦。
?
对单级共源、共漏和共栅放大器来说,f3dB带宽最小的是什么,原因是由于什么的存在,f3dB带宽最大的是什么,
亲亲~对于单级共源、共漏和共栅放大器来说,f3dB带宽最小的是共源放大器,原因是由于共源放大器的输入电容最大,导致其高频响应最差,因此f3dB带宽最小。而f3dB带宽最大的是共栅放大器,原因是由于共栅放大器的输入电容最小,导致其高频响应最好,因此f3dB带宽最大哦。
MOSFET是一个四端器件,现在大多数的Cmos工艺中,P管做在什么中,并且,在大多数电路中,P管的衬底与什么电平相连接,这样连接的原因是使得什么
亲亲~在大多数CMOS工艺中,P沟道MOSFETPMOS是做在N型衬底上的。在大多数电路中,PMOS的衬底通常与正电源VDD相连接,这样连接的原因是使得PMOS在断开时能够保持封闭状态,以避免漏电流的问题。当PMOS的栅极电压低于衬底电压时,PMOS处于导通状态。因此,如果PMOS的衬底连接到地,那么当PMOS断开时,由于衬底是N型材料,会形成一个NPN晶体管,导致漏电流。而将PMOS的衬底与正电源连接在一起,可以使得衬底电压始终高于栅极电压,从而避免漏电流问题的出现。因此,在大多数电路中,PMOS的衬底通常与正电源相连接哦。
阈值电压为发生强反型时的栅压,对增强型NMOS管来说,发生强反型时的条件为
亲亲~对于增强型NMOS管,发生强反型的条件是栅极电压高于阈值电压,且漏极电压小于源极电压。此时,沟道中的电子浓度增加,导致漏极电流增大,从而使管子进入强反型状态。因此,对于增强型NMOS管来说,强反型状态的阈值电压是一个重要的参数哦。
对于一个反馈系统来说,有前反馈网络A和反馈网络B,那么这个系统的开环增益是什么,闭环增益是什么,环路增益是什么
亲亲~一个反馈系统包括前馈网络和反馈网络两部分。假设前馈网络的传递函数为Gf(s),反馈网络的传递函数为Gb(s),总的传递函数为G(s)。则:开环传递函数或开环增益是指前馈网络和反馈网络的传递函数的乘积,即G(s) = Gf(s) × Gb(s)。闭环传递函数或闭环增益是指系统的输出与输入之间的传递函数,即Gc(s) = G(s) / (1 + G(s)H(s)),其中H(s)是反馈网络的传递函数。环路传递函数或环路增益是指反馈信号与输出之间的传递函数,即L(s) = G(s)H(s)。其中,开环传递函数描述的是系统在没有反馈控制时的动态特性,闭环传递函数描述的是系统在有反馈控制时的动态特性,环路传递函数描述的是反馈信号对系统动态特性的影响哦。
实际工艺中,本征阈值电压并不适用于电路设计,因此在器件制造过程中,通常通过向沟道区注入什么来调整阈值电压,其实质是改变氧化层界面附近衬底的什么
亲亲~在CMOS工艺中,为了调整MOS场效应管的阈值电压,通常采用掺杂技术来实现。在MOS场效应管的制造过程中,通过向沟道区注入掺杂材料,可以改变沟道区的电阻率,从而改变场效应管的电性能。具体来说,N沟道MOS管的沟道区通常采用P型掺杂,而P沟道MOS管的沟道区通常采用N型掺杂,掺杂的浓度和深度可以根据需要进行调整,以达到所需的阈值电压。在掺杂过程中,掺杂材料通常是通过离子注入的方式进行注入的。在注入后,需要进行退火处理,以使掺杂材料在晶体中扩散,并形成所需的电学特性。退火过程中,掺杂材料会向晶体内部扩散,并与晶体中的杂质原子和晶格结构相互作用,从而形成所需的电学特性哦。