半导体器件物理会的来

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摘要 1.场效应:指一种电子器件中,由于电场的存在而出现的非线性现象,也是半导体中最重要的物理效应。2.感应结:也称为反馈结。是半导体器件中最重要的物理效应之一,它就是将电流通过一个结后回到元件的外部回路中去,以形成闭环电路,以影响该元件内部网络的信号强度。3.镜像力势垒高度降低:是指在半导体材料中,由于表面的存在,使得电子受到的势垒降低以达到禁带宽度增加的效果。4.表面势:在半导体材料中,在表面会产生一种特殊形式的势垒,称作表面势,可使半导体表面的能带宽度发生变化。5.费米势:是指在半导体中,由于晶格参数的影响而出现的势垒,使得半导体的能带发生变化,从而影响其电子的运动。
咨询记录 · 回答于2023-01-04
半导体器件物理会的来
解释术语:1.场效应 2.感应结 3.镜像力势垒高度降低 4.表面势 5.费米势
1.场效应:指一种电子器件中,由于电场的存在而出现的非线性现象,也是半导体中最重要的物理效应。2.感应结:也称为反馈结。是半导体器件中最重要的物理效应之一,它就是将电流通过一个结后回到元件的外部回路中去,以形成闭环电路,以影响该元件内部网络的信号强度。3.镜像力势垒高度降低:是指在半导体材料中,由于表面的存在,使得电子受到的势垒降低以达到禁带宽度增加的效果。4.表面势:在半导体材料中,在表面会产生一种特殊形式的势垒,称作表面势,可使半导体表面的能带宽度发生变化。5.费米势:是指在半导体中,由于晶格参数的影响而出现的势垒,使得半导体的能带发生变化,从而影响其电子的运动。
你好像比他们专业
这个题能做吗
P区的费米能级位置:E_p = E_c - kTln(N_p/N_c) = E_c - kTln(1018/2.8x1019) = E_c - 0.86kTN区的费米能级位置:E_n = E_c + kTln(N_n/N_v) = E_c + kTln(1016/0) = E_c + ∞接触电势:V_c = (E_p - E_n)/q = (E_c - 0.86kT - E_c)/q = - 0.86kT/q耗尽宽度:W_p = 2√(2ε_s kT q N_p) = 2√(2ε_s kT q 1018)W_n = 2√(2ε_s kT q N_n) = 2√(2ε_s kT q 1016)
比较BJT和MOSFET的工作原理有何不同?说明两者的区别和各自的优势
BJT(晶体管)是一种由三个基本电子元件(发射极、集电极和基极)组成的半导体器件。BJT的工作原理是通过“失效转换”的角度来看的,它的工作特性指的是在某种电流和电压情况下,晶体管中3个端口产生了不同的势能,并有不同的效果比例。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种由电极、绝缘层和控制电极组成的半导体器件。MOSFET的工作原理是通过对晶体管电极(由正和负极组成)通过绝缘层(由氧化层组成)进行上电控制,这样可以提高封闭电容的电容,从而调节电流流动,从而影响元件的电路特征。两者最显著的区别在于 BJT 依赖于电子的转移,而 MOSFET 是通过绝缘层控制的,完全不受电子的影响。MOSFET的优势在于更快的响应时间,具有更高的增益抑制,以及更低的漏电流和更少的噪声。而BJT的优势在于它更紧凑,更轻,更灵活,成本更低,并且具有更高的输出功率,还有更稳定的增益和较低的电阻。
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