Question

场效应管也是由两个pn结组成,是单极性三极管

Answer 1

问：场效应管也是由两个pn结组成,是单极性三极管

答：亲亲，不对哦。场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是由PN结、P型半导体和N型半导体等材料构成，它并不是一个双极性（bipolar）器件，而是一个单极性三极管（unipolar transistor）。FET的工作原理是利用外加电场控制半导体中的载流子浓度和移动方向，从而控制电流的大小。和双极性晶体管（BJT）相比，FET具有输入阻抗高、噪声小、温度稳定性好等优点，常用于放大、开关和电子开关等电路中。

问：绝缘栅型场效应管在使用时应该加入多大电压？为什么

答：绝缘栅型场效应管（Insulated Gate Field-Effect Transistor，IGFET），也被称为金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），在使用时需要在栅极和源极之间加入一定的正向电压，通常称为栅极极限电压（Gate-Source Voltage，Vgs）。这个电压大小可以在 MOSFET 的规格书上找到。MOSFET的栅极是由一层很薄的氧化物（通常为二氧化硅）隔离的，当栅极上施加一定的电压时，栅极和源极之间的电场就会改变。当这个电压超过了一定的阈值电压（Threshold Voltage，Vth），电场就会足以影响半导体中的载流子浓度和移动方向，从而控制电流的大小。所以，Vgs应该在规格书中指定的范围内，以确保MOSFET的正常工作。超过规定的范围，会导致MOSFET失效或永久损坏。