Question

7.PN结外加正偏电压增大时,导致势垒中的漂移运动+()+A变大

Answer 1

问：7.PN结外加正偏电压增大时,导致势垒中的漂移运动+()+A变大

答：亲亲，很开心正在为您解答PN结外加正偏电压增大时,导致势垒中的漂移运动变小的呢，当PN结加正向偏压时，电子从从电源负极进入N区，到达势垒边界后由于扩散运动进入P区。在P区和空穴复合，电子的浓度逐渐降低，所以漂移运动是变小，是减弱的呢。

问：平衡载流子小注入条件的是

答：平衡载流子小注入条件的是注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多

答：亲亲，漂移运动，即在PN结空间电荷区内电场作用下，P区和N区少数载流子的定向运动。在空间电荷区内电场作用下，P区和N区的少数载流子将做定向运动，这种运动叫漂移运动。漂移运动的作用结果是产生漂移电流，并使空间电荷区变窄的呢。

问：分析影响缓变基区晶体管电流放大系数的因素，总结提高电流放大系数的措施

答：影响缓变基区晶体管电流放大系数的因素是有晶体管的反向电流及击穿电压；晶体管的反向电流等

答：提高电流放大系数的措施是有：击穿电压及相互关系；势垒穿通；厄尔利效应基区载流子(少子,电子)密度分布；电流密度分布；电流增益；缓变基区晶体管发射效率等

答：亲亲，正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流；反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数载流子的漂移运动,而不利于多数载流子的扩散运动.因此,漂移电流将大大超过扩散电流的呢。

答：亲亲，PN结不加外电压时，N指向P的内建电场使P能级升高N能级降低，在PN结界面形成了一个P高N低的台阶，PN结正向偏置时，相当于在PN结施加P指向N的外加电场，与内建电场反向，使势垒降低，正向电压足够大时，外加电场刚好与内建电场大小相等方向相反，势垒变平，N区电子向P扩散，P区空穴向N扩散，PN结导通

答：抱歉的呢，无法画图，您可以根据这个解释，然后您个人画图的呢

答：亲亲，PN结不加外电压时，N指向P的内建电场使P能级升高N能级降低，在PN结界面形成了一个P高N低的台阶，PN结正向偏置时，相当于在PN结施加P指向N的外加电场，与内建电场反向，使势垒降低，正向电压足够大时，外加电场刚好与内建电场大小相等方向相反，势垒变平，N区电子向P扩散，P区空穴向N扩散，PN结导通