三极管饱和压降
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饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流,此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下:在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。2.三极管的集电极电阻越大,越容易达到饱和状态。3.饱和区的现象分为两种:二个PN结均正偏,IC不受IB的控制。4.判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS,然后再根据实际的电路求出当前的基级电流。
三极管工作原理:
三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的。
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