高中物理题解答

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摘要 (1)设电子初速度为零，穿越隔离层后动能变为穿越前动能的50%，则有E=2mev^2，所以电子第1次穿过隔离层后的速度大小v=√2eE=2√meV。(2)设电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的总运动距离为S1，则电子第4次穿过隔离层时分解向x轴方向的距离s，s2L，根据定义知，电子每次穿越隔离层动能减半，电子的总动能每次穿越隔离层都会变成原来的1/2^4，因此，电子从0点开始到第4次穿过隔离层时的总动能E1=2mev^2×1/2^4，则有电子的速度v1=√2E1m=4meV，根据t=S/v,计算电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的时间T，T=s1/(4meV)=s1/(2√meV)=2sL/(2√meV)，故电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的时间T=2L/√meV。(3)电子能够从y-4L射出该区域，则匀强磁场的磁感应强度B应满足条件：B>2eEL/m

咨询记录 · 回答于2023-01-31

高中物理题解答

亲你能把详细题目发给我吗？

（1）电子第1次穿过隔离层后的速度大小：V=√2eE/m（2）电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的运动过程所经历的时间：t=3/V=(3√2em/eE)（3）若电子能够从y-4L射出该区域，则匀强磁场的磁感应强度大小应满足：B≥2meV/eL

有没有过程

(1)设电子初速度为零，穿越隔离层后动能变为穿越前动能的50%，则有E=2mev^2，所以电子第1次穿过隔离层后的速度大小v=√2eE=2√meV。(2)设电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的总运动距离为S1，则电子第4次穿过隔离层时分解向x轴方向的距离s，s2L，根据定义知，电子每次穿越隔离层动能减半，电子的总动能每次穿越隔离层都会变成原来的1/2^4，因此，电子从0点开始到第4次穿过隔离层时的总动能E1=2mev^2×1/2^4，则有电子的速度v1=√2E1m=4meV，根据t=S/v,计算电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的时间T，T=s1/(4meV)=s1/(2√meV)=2sL/(2√meV)，故电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的时间T=2L/√meV。(3)电子能够从y-4L射出该区域，则匀强磁场的磁感应强度B应满足条件：B>2eEL/m

这题出自哪里有没有

轨迹图有吗

亲我们这边后台是用电脑给您回复的，还请您谅解一下

你这样写我都不能理解他是怎么一个运动过程

设电子从0点开始运动到第4次穿过隔离层的总运动距离为S1，则电子第4次穿过隔离层时分解向x轴方向的距离s，s2L，根据定义知，电子每次穿越隔离层动能减半，电子的总动能每次穿越隔离层都会变成原来的1/2^4，

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