
大学物理题目解答
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咨询记录 · 回答于2023-03-06
大学物理题目解答




后面三道题也麻烦解答一下
还有一点: 根据高斯定理,电通量等于包围在曲面内的总电荷除以介电常数,因此可以根据电通量计算出包围在曲面内的总电荷。利用高斯定理分析两个带有等量异号电荷的无限长同轴圆柱面的电场分布:假设两个同轴圆柱面的半径分别为R1和R2,电荷密度分别为ρ1和ρ2,并且两个圆柱面带有等量异号的电荷。我们选择一个高斯柱面,它的轴线沿着圆柱面,高斯柱面的半径为r,高度为h,那么高斯柱面的面积为A=2πrh,电场强度的方向为轴线方向。根据高斯定理,电荷通过高斯柱面所产生的总电通量为Φ=ρ1 * π*(R1)² - ρ2 * π*(R2)²,由于高斯柱面侧面上的电场强度垂直于侧面,因此只有垂直于高斯柱面两个圆盘面的分量会对电通量做出贡献,因此电通量为Φ=2πrh E,其中E为高斯柱面上的电场强度。将上述两个式子相等,我们可以得到高斯柱面上的电场强度为E=(ρ1 * π*(R1)² - ρ2 * π*(R2)²)/(2εh)。整个系统的电场分布可以用相同的方法分析,从而求出任意位置的电场强度大小和方向。
推导稳恒磁场真空中的安培环路定理:根据安培定理,磁场的旋度等于电流密度。$\nabla \times \mathbf{B}=\mu_{0} \mathbf{J}$考虑一个围绕电流的闭合回路 C,假设它完全位于真空中,那么根据斯托克斯定理,$\oint_{C} \mathbf{B} \cdot d \mathbf{l}=\iint_{S} \nabla \times \mathbf{B} \cdot d \mathbf{S}=\iint_{S} \mu_{0} \mathbf{J} \cdot d \mathbf{S}$其中,S 是由回路 C 围成的表面。如果电流分布是均匀的,则有 $\mathbf{J}$ = 常数,且 S 可以是任意形状的表面,因此上式可以简化为:$\oint_C \mathbf{B} \cdot d \mathbf{l} = \mu_0 I_{\rm enc}$其中,$I_{\rm enc}$ 是由回路 C 所围成的电流。这就是稳恒磁场真空中的安培环路定理。
安培环路定理的适用条件是:稳恒磁场、真空或磁介质中,电流分布均匀。
同学 还在吗?