在真空中,影响静电场中谋闭合曲面的通电量的因素
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穿过一闭合曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比。旁拍闷即电场强度在一封闭曲面上的面积分与封闭曲面所包围的电荷量成正比。
咨询记录 · 回答于2022-12-04
在真空中,影响静电场中谋闭合曲面的通电量的因素
穿过一闭合曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比。旁拍闷即电场强度在一封闭曲面上的面积分与封闭曲面所包围的电荷量成正比。
它表示,电场强度对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的位置分布情况无关,与封闭曲面外的电荷亦无关。在真空的情况下,Σq为包围在封闭曲面内的自由电荷的代数和。当存在介质时,Σq应理解为包贺橘围在封闭曲面内的自由电荷和运弯极化电荷的总和。
对于真空中的任何静电场,通过电场中任何闭合曲面 S 的电通量 Φe,等于 该曲面所包围的所有电荷电量的代数和 的倍,与闭合曲面外的电荷无关. (
高斯定理表明的是闭合曲面的E通量只与该曲面面内电荷的代数和有关,而与闭合曲面的形状无关,也与面内电荷的分布无关。静电场中E沿任意闭合环路的线积分(