D7,D10,D17二极管的区别

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摘要因为几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，同时它也是诞生最早的半导体器件之一。所以市面上有许多型号的二极管就属于正常的了。你可以随意打开一个电子产品，在里面基本上都可以找到它们。一，工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。（1）当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。（2）当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（3）当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流Io。（4）当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值，从而产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二，导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。（1）正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，流过二极管的正向电流十分微弱，二极管任然不能导通。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。（2）反向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，任然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。三，开关特性（1）在正向电压作用下，电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关。（2）在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。（此只能作为理解参考，不能作为学术用途。）

咨询记录 · 回答于2021-09-25

D7,D10,D17二极管的区别

因为几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，同时它也是诞生最早的半导体器件之一。所以市面上有许多型号的二极管就属于正常的了。你可以随意打开一个电子产品，在里面基本上都可以找到它们。一，工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。（1）当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。（2）当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（3）当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流Io。（4）当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值，从而产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二，导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。（1）正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，流过二极管的正向电流十分微弱，二极管任然不能导通。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。（2）反向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，任然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。三，开关特性（1）在正向电压作用下，电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关。（2）在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。（此只能作为理解参考，不能作为学术用途。）

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请问红色的怎么测都不通，是坏了吗？

对的

谢谢

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