Question

电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点

Answer 1

问：电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点

答：都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号，可以设置相应的占空比，如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲，为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V，如果设置触发延迟角α为45度，只需将相位延迟参数设置为2.5ms，可以根据需要自己设置触发角，不同的电路可能还要设置相应的死区时间，即要留有一定裕度，防止误导通。

问：可以再详细一点吗

答：你稍等，

答：GTO(门级可关断晶闸管):全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 GTR(电力晶体管)耐高压，电流大开关特性好 mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。