写出理想 MOSFET 器件在非饱和区和饱和区的漏端电流与源漏端电压，栅极电压 之间方程。考虑到速
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亲您好很高兴为您解答，写出理想MOSFET器件在非饱和区和饱和区的漏端电流与源漏端电压，栅极电压之间方程。考虑到速度饱和效应时，器件在饱和区其漏端电流与源漏点电压、栅压、阈值电压和饱和载流子迁移的饱和速度直接的方程Vgs=0V，I=250uA。给DS端不断加电压，此时I漏电流会增大，当ID达到250uA时，此时的DS电压即为雪崩击穿电压。
咨询记录 · 回答于2022-11-16
写出理想 MOSFET 器件在非饱和区和饱和区的漏端电流与源漏端电压，栅极电压 之间方程。考虑到速度饱和效应时，器件在饱和区其漏端电流与源漏点电压、栅压、 阈值电压和饱和载流子迁移的饱和速度直接的方程。
亲您好很高兴为您解答，写出理想MOSFET器件在非饱和区和饱和区的漏端电流与源漏端电压，栅极电压之间方程。考虑到速度饱和效应时，器件在饱和区其漏端电流与源漏点电压、栅压、阈值电压和饱和载流子迁移的饱和速度直接的方程Vgs=0V，I=250uA。给DS端不断加电压，此时I漏电流会增大，当ID达到250uA时，此时的DS电压即为雪崩击穿电压。
亲，MOSFET是金属-氧化物半导体场效应晶体管简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
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