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一、三极管各极电流大小关系:
三极管有三个电极发射极(e),集电极(c),基极(b)现在讨论他们的关系及原理:以npn为例发射极是n型高参杂浓度高多子是电子基极是p型低参杂多子是空穴集电极是n型当加入直流电压使得发射结正偏集电结反偏时发射极发射电子Ie这个电流扩散到基极分成两部分一部分跟基极的空穴复合(但很少)成为Ibn一部分被集电极收集成为Icn基极中被复合掉的空穴有基极电源以及由集电极漂移过来的Icbo补充所以有关系式Ib+Icbo=Ibn.然后是Icbo与集电极收集的电子Icn共同成为Ic即有关系式Ic=Icn+Icbo..所以三极管在放大状态下各个电极关系为:Ie=Icn+Ibn=Ic+Ib
二、三极管:
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三极管有三个电极发射极(e),集电极(c),基极(b)现在讨论他们的关系及原理:以npn为例发射极是n型高参杂浓度高多子是电子基极是p型低参杂多子是空穴集电极是n型当加入直流电压使得发射结正偏集电结反偏时发射极发射电子Ie这个电流扩散到基极分成两部分一部分跟基极的空穴复合(但很少)成为Ibn一部分被集电极收集成为Icn基极中被复合掉的空穴有基极电源以及由集电极漂移过来的Icbo补充所以有关系式Ib+Icbo=Ibn.然后是Icbo与集电极收集的电子Icn共同成为Ic即有关系式Ic=Icn+Icbo..所以三极管在放大状态下各个电极关系为:Ie=Icn+Ibn=Ic+Ib
二、三极管:
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
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2013-11-27
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三极管分为PHP型与NPN型用万用表调到1000欧姆 正极接在基极负极接在集电极如果有阻值说明是PHP型,否则正极接在集电极负极接在基极如果有阻值说明是NPN型 三极管 有三种工作状态以PHP型为例三极管有三个极:发射极、基极、集电极;二个PN结:发射结(基极与发射极之间的PN结)、集电结(基极与集电极之间的PN结)三极管的状态(截止、放大、饱和)主要与发射结的偏置有关;而集电结的偏置状态是由发射结的偏置引起的,它是三极管的状态(截止、放大、饱和)的反映。截止状态:发射结:反偏、零偏、弱正偏(偏置电压小于导通电压)集电结:反偏放大状态:发射结:正偏(偏置电压大于导通电压) 集电结:反偏饱和状态:发射结:正偏(偏置电压大于导通电压) 集电结:反偏、零偏、正偏(大电流浅饱和:反偏;小电流深饱和:正偏)
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2013-11-27
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流进为负,流出为正。Ib = 0.04,Ic = 2,Ie = 2.04所以该管是NPN型。
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三极管和场效应管工作原理3D动画,直观的了解其电流走向
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