pnp三极管在使用中发射极电位最高,集电极电位最低时为UBE<0,三极管按结构可以分为,NPN型三极管和PNP型三极管。
pnp三极管管道通时IE=(放大倍数+1)*IB和ICB没有任何关系,ICB=0 ICB>0时,可能就与pnp三极管就有所关系,三极管在正常工作时,不管是在工作放大区还是饱和区ICB=0,当UEB>0.7V(硅),RC/RB<放大倍数时,pnp三极管工作在饱和区,反之就工作在放大区。
扩展资料:
一、三极管结构类型
晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里。
NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
二、工作状态
1、截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
2、放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
3、饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化。
这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
参考资料来源:百度百科-三极管
参考资料来源:百度百科-PNP型三极管
PNP晶体管是另一种类型晶体管。它的工作原理和NPN晶体管相似,只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。PNP晶体管的发射结要正偏,基区的电压要比发射区的电压要低,而集电极要使多数载流子空穴通过,集电区的电压要比基区的要低。这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。在双极模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求,需要引入PNP结构的晶体管。如横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 NPN管同时进行,不需附加工序。在横向PNP管中,发射区注入的少子(空穴)在基区中流动的方向与衬底平行,故称为横向 PNP管。纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区,集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区,用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通,在电路中总是接在最低电位处,这使它的使用场合受到了限制,在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。
PNP管:电流从发射极流入基极与集电极。
然而NPN管:电流从基极,集电极流入从发射极流出三极管正常工作条件:给管子BE结加正扁电压,BC结加反扁电压,BE结的正扁电压要大于或等于导通电压。
NPN型:Uc〉Ub〉Ue PNP型:Ue〉Ub〉Uc
扩展资料:
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:
锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。
两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的。
参考资料:百度百科--三极管
PNP管:电流从发射极流入基极与集电极。然而NPN管:电流从基极,集电极流入从发射极流出三极管正常工作条件:给管子BE结加正扁电压,BC结加反扁电压,BE结的正扁电压要大于或等于导通电压。NPN型:Uc〉Ub〉Ue PNP型:Ue〉Ub〉Uc