三极管Vceo与Vcbo

规格书上写着CE耐压50V,CB耐压也是50V但是,我先将电源调到50V的电压,加到CB间电压是50V。但是,加到CE间有些只有47V左右谁知道,这是为什么?... 规格书上写着CE耐压50V,CB耐压也是50V
但是,我先将电源调到50V的电压,加到CB间电压是50V。但是,加到CE间有些只有47V左右
谁知道,这是为什么?
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MTDBJ
推荐于2017-09-08 · 知道合伙人教育行家
MTDBJ
知道合伙人教育行家
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沈阳工程学院热能动力专业1974年毕业,从事火力发电厂工作41年。现任抚顺矿业集团热电厂筹备处技术顾问。

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我在以前也遇到过这种现象,在对老式的锗PNP管测试时就是这样的。原因是穿透电流ICEO的存在造成的,因为ICBO远远小于ICEO,所以当测量电源电压不是稳压电源时,就会出现误差。如果是用精度比较高的稳压电源就不会有这个现象。
天蝎小灰马
高粉答主

推荐于2017-09-30 · 醉心答题,欢迎关注
知道大有可为答主
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VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压。
例:
SB13003:Vceo=400V;Vcbo=700V;Ic=1.5A;Pc=1.5W(不加散热器)50W(加足够散热器)
J13009:Vceo=400V;Vcbo=700V;Ic=12A;Pc=100W(加足够散热器)
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
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