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1.结构不同:
9012结构:PNP
9013结构:NPN
9018结构:NPN
2.集电极—发射极电压不同:
9012结构:30V
9013结构:25V
9018结构:15V
3.耗散功率不同:
9012结构:0.625W
9013结构:0.625W
9018结构:0.4W
扩展资料:
理论原理:
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电。
而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
参考资料:百度百科——三极管
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9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
详情如下:
90系列三极管参数
90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构:NPN
集电极-发射极电压 30V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.03A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构:PNP
集电极-发射极电压 -30V
集电极-基电压 -40V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构:NPN
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构:NPN
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构:PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.45W
结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 结构:NPN
集电极-发射极电压 20V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.025A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 结构:NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.05A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-基极电压Vcbo:-40V
工作温度:-55℃ to +150℃
和8050(NPN)相对
主要用途:
开关应用
射频放大
三极管8050
8050是常用的NPN小功率三级管,下面是的8050引脚图参数资料。
<8050管脚图>
8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
详情如下:
90系列三极管参数
90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构:NPN
集电极-发射极电压 30V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.03A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构:PNP
集电极-发射极电压 -30V
集电极-基电压 -40V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构:NPN
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构:NPN
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构:PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.45W
结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 结构:NPN
集电极-发射极电压 20V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.025A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 结构:NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.05A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-基极电压Vcbo:-40V
工作温度:-55℃ to +150℃
和8050(NPN)相对
主要用途:
开关应用
射频放大
三极管8050
8050是常用的NPN小功率三级管,下面是的8050引脚图参数资料。
<8050管脚图>
8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
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