分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。求详解
A：可能在恒流区
B：在截止区
C：在截止区
D：可能在恒流区
场效应管要想工作在恒流区，管子必须处于导通状态，且栅源极之间的电压Ugs必须恒定。B和C选项这一类管子，栅极电位必须高出源极的电位一定值（超过开启电压），否则无法导通。
A和D选项这一类管子，Ugs为零、正值或负值（不超过截止电压），都可以导通。因此可以采用A图的自偏压，或者D图的外置偏压。
扩展资料：
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
参考资料来源：百度百科-场效应管
创远信科
2024-07-24 广告
B，C是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态
D是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态
bc都是n沟道增强型管，栅源之间需要加额外电压，不然只能工作在截止区
d是n沟道耗尽型管，不加栅源电压或者加正向电压都有沟道，加绝对值大于截止电压的负电压时会截止。图中加的是正电压
1：a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。
2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。
3：d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
