三极管放大电路反向偏置为什么ic电流能流过
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三极管工作在放大区时,发射结正偏,集电结反偏。
小
Ib
控制
大
Ic
与三极管结构有关。用NPN为例,发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄。集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽。
如此结构,在基极流过小电流时,也就是发射极的电子载流子流进基区,而集电结反偏,外部电场指向基区,会将流进基区的电子载流子大量吸入集电极,而只有少部分被加在基区的正向电压吸引,因为集电极反偏电压大于发射极正偏电压。这样,三极管结构的设计优势就体现了,大体积的集电区,可以收集大量电子载流子,发射极电子载流子浓度大可以发射大量电子载流子。
所以,只要正偏发射结有小电流流过时,反偏集电结就会有很大的电流流过。
不知道这样解释你明白没有。
小
Ib
控制
大
Ic
与三极管结构有关。用NPN为例,发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄。集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽。
如此结构,在基极流过小电流时,也就是发射极的电子载流子流进基区,而集电结反偏,外部电场指向基区,会将流进基区的电子载流子大量吸入集电极,而只有少部分被加在基区的正向电压吸引,因为集电极反偏电压大于发射极正偏电压。这样,三极管结构的设计优势就体现了,大体积的集电区,可以收集大量电子载流子,发射极电子载流子浓度大可以发射大量电子载流子。
所以,只要正偏发射结有小电流流过时,反偏集电结就会有很大的电流流过。
不知道这样解释你明白没有。
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